[发明专利]用于引线键合的衬底金属层结构及功率半导体器件有效
| 申请号： | 201811249360.X | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111106084B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 张鸿鑫;刘国友;罗海辉;谭灿健;冯宇;韩星尧 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/498;H01L23/49;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;何娇 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 引线 衬底 金属 结构 功率 半导体器件 | ||
1.一种用于引线键合的衬底金属层结构，其特征在于，所述衬底金属层结构自下而上依次包括：
衬底；
金属层，其设置在所述衬底的上表面；以及
引线，其设置在所述金属层的远离所述衬底的表面上并与所述金属层形成引线键合；
其中，所述金属层包括叠置而成的多个子金属层，并且所述多个子金属层的表面积自下而上逐渐减小；
所述多个子金属层为至少三个子金属层，该多个子金属层中除了最下层子金属层之外，其余的子金属层的厚度自下而上逐渐减小。
2.根据权利要求1所述的衬底金属层结构，其特征在于，所述多个子金属层中，与所述衬底连接的最下层子金属层的厚度最小。
3.根据权利要求2所述的衬底金属层结构，其特征在于，所述最下层子金属层通过物理气相沉积工艺设置于所述衬底上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的衬底金属层结构，其特征在于，所述多个子金属层的相邻子金属层之间采用物理气相沉积或电镀工艺进行连接。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的衬底金属层结构，其特征在于，所述多个子金属层中的每个子金属层均为由Cu、Ni、Pd、Au、Ag、Sn、Ti和Pb的一种或多种制成的单层结构。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的衬底金属层结构，其特征在于，所述多个子金属层中的每个子金属层均为由多个单层结构叠置而成的多层结构，所述单层结构由Cu、Ni、Pd、Au、Ag、Sn、Ti和Pb的一种或多种制成。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的衬底金属层结构，其特征在于，所述引线通过热、压力或超声波能量与所述金属层形成引线键合。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的衬底金属层结构，其特征在于，所述衬底为芯片或衬板。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的衬底金属层结构，其特征在于，所述金属层包括3个子金属层。
10.一种功率半导体器件，其包括权利要求1-9中任一项所述的衬底金属层结构。
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