[发明专利]数据储存装置及其适应性数据读取方法

说明书

本发明提供一种数据储存装置，包括：一闪存，具有多个区块用以储存数据，其中各区块包括多个页面；以及一控制器，用以接收来自一主控端的一主控读取指令，并将该主控读取指令转换为对该闪存的一读取操作指令以进行一预设读取操作由该等页面读取一页面数据，其中该预设读取操作具有一预设读取阈值电压的设定，其中当该预设读取操作失败时，该控制器依序将一读取重试表中的多个项目的每一者相应的一读取阈值电压的设定对该闪存进行一读取操作，并将成功进行该读取操作的该读取阈值电压的设定取代该预设读取阈值电压的设定。

技术领域

本发明有关于一种数据储存装置，特别是有关于一种数据储存装置及其适应性数据读取方法。

背景技术

闪存装置通常分为NOR快闪装置与NAND快闪装置。NOR快闪装置为随机存取装置，而可于地址脚位上提供任何的地址，用以存取NOR快闪装置的主装置(host)，并及时地由NOR快闪装置的数据脚位上获得储存于该地址上的数据。相反地，NAND快闪装置并非随机存取，而是序列存取。NAND快闪装置无法像NOR快闪装置一样，可以存取任何随机地址，主装置反而需要写入序列的字节(bytes)的值到NAND快闪装置中，用以定义请求命令(command)的类型(如，读取、写入、抹除等)，以及用在此命令上的地址。地址可指向一个页面(在闪存中的一个写入作业的最小数据块)或一个区块(在闪存中的一个抹除作业的最小数据块)。实际上，NAND快闪装置通常从存储器单元(memory cells)上读取或写入完整的数页数据。当一整页的数据从阵列读取到装置中的缓存器(buffer)后，藉由使用提取信号(strobesignal)顺序地敲出(clock out)内容，让主单元可逐字节或字符组(words)存取数据。

NAND闪存的体积越来越小，而数据保留、数据干扰等因素会造成NAND闪存越来越难正确读取数据因此，本发明提出一种数据储存装置及其适应性数据读取方法，用以提升读取数据的效率。

发明内容

本发明提供一种数据储存装置，包括：一闪存，具有多个区块用以储存数据，其中各区块包括多个页面；以及一控制器，用以接收来自一主控端的一主控读取指令，并将该主控读取指令转换为对该闪存的一读取操作指令以进行一预设读取操作由该等页面读取一页面数据，其中该预设读取操作具有一预设读取阈值电压的设定，其中当该预设读取操作失败时，该控制器依序将一读取重试表中的多个项目的每一者相应的一读取阈值电压的设定对该闪存进行一读取操作，并将成功进行该读取操作的该读取阈值电压的设定取代该预设读取阈值电压的设定。

在本发明一实施例中，该该控制器包括一错误校正电路用以对该预设读取操作或该读取操作所读取的该页面数据进行错误校正，其中当该错误校正电路判断可对该预设读取操作或该读取操作所读取的该页面数据进行错误校正以产生正确页面数据时，该控制器判断该预设读取操作或该读取操作成功，其中当该错误校正电路判断无法对该预设读取操作或该读取操作所读取的该页面数据进行错误校正以产生该正确页面数据时，该控制器判断该预设读取操作或该读取操作失败。其中该预设读取阈值电压的设定及在该读取重试表中的各项目的该读取阈值电压的设定分别具有相应的一初始排名，其中该预设读取阈值电压的设定具有最高的该初始排名，且该控制器在一检查点计算该预设读取阈值电压的设定及在该读取重试表中的各项目的该读取阈值电压的设定的一更新排名，并将具有最高的该更新排名的该读取阈值电压的设定或该预设读取阈值电压的设定取代为该预设读取阈值电压的设定，并将其他的该读取阈值电压的设定依照该更新排名依序更新至该读取重试表中的各项目。

在上述实施例中的检查点为每一固定时间周期或该闪存达到一预定读取次数。该更新排名依据各个该读取阈值电压的设定及该预设阈值电压的设定在该检查点时所分别相应的一成功读取次数或一读取成功率所决定。

在上述实施例中，当该数据储存装置处于一特定情境时，该控制器将相应于该特定情境的另一读取重试表取代原本的该读取重试表。该特定情境为该数据储存装置操作高于一预定温度持续一预定时间，或是该闪存中的闪存单元的平均抹除次数大于一预定抹除次数。