[发明专利]Ka波段基片集成波导隔离器

权利要求书

1.一种Ka波段基片集成波导隔离，包括金属底座(10)、介质基片(20)、铁氧体片(30)、陶瓷垫片(40)和永磁体(50)，其特征在于：

所述介质基片(20)上下表面覆有金属层；所述介质基片(20)包含三个基片集成波导(21)，所述基片集成波导(21)由所述介质基片上设置的两个平行的第一通孔、所述两个平行的第一通孔之间的介质基片(20)和介质基片(20)上下表面的金属层构成；所述介质基片(20)上设置有用于容纳所述铁氧体片(30)的第二通孔；所述介质基片(20)的上表面设置有三个匹配微带线(22)。

2.根据权利要求1所述的Ka波段基片集成波导隔离器，其特征在于，所述介质基片(20)由微波陶瓷材料或半导体材料制成。

3.根据权利要求1所述的Ka波段基片集成波导隔离器，其特征在于，三个所述基片集成波导(21)之间互成120°角。

4.根据权利要求1所述的Ka波段基片集成波导隔离器，其特征在于，所述的三个匹配微带线(22)中的第一个和第二个匹配微带线(22)由线性渐变微带线构成，第三个匹配微带线(22)由基片集成波导(21)的出口处延伸至薄膜电阻。

5.根据权利要求1所述的Ka波段基片集成波导隔离器，其特征在于，所述铁氧体片(30)通过胶粘工艺固定于介质基片(20)上的第二通孔中。

6.根据权利要求5所述的Ka波段基片集成波导隔离器，其特征在于，所述铁氧体片(30)与介质基片(20)在胶粘工序前通过抛光技术打磨处理。

7.根据权利要求1所述的Ka波段基片集成波导隔离器，其特征在于，所述金属层通过金属镀膜的方式镀覆在铁氧体片(30)与介质基片(20)的表面。

8.根据权利要求1所述的Ka波段基片集成波导隔离器，其特征在于，铁氧体片(30)的上方通过胶粘固定有陶瓷垫片(40)；所述陶瓷垫片(40)的上方通过胶粘固定有永磁体(50)。

9.根据权利要求1所述的Ka波段基片集成波导隔离器，其特征在于，所述铁氧体片(30)与介质基片(20)通过下表面的金属层焊接或胶粘固定于金属底座(10)上。

10.根据权利要求1所述的Ka波段基片集成波导隔离器，其特征在于，所述的第一通孔为矩形通孔；所述介质基片(20)厚度为0.25mm，介质基片(20)的介电常数约为9.8；所述铁氧体片(30)呈圆形，直径1.35mm，采用镍系铁氧体材料制成，介电常数13.3，饱和磁化强度4900Gs。