[发明专利]半导体前段设备模组的排气装置在审

专利信息
申请号: 201811250717.6 申请日: 2018-10-25
公开(公告)号: CN111106048A 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L21/673 分类号: H01L21/673;H01L21/677
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 半导体 前段 设备 模组 排气装置
【权利要求书】:

1.一种半导体前段设备模组的排气装置,其特征在于,包括:

集气箱,设置于废气源的下方,所述集气箱的顶部设置有开口面,所述集气箱的内部经由所述开口面与所述废气源相连通,其中所述废气源包含半导体前段设备模组;及

排气管路,设置于所述集气箱底部或侧面,且所述排气管路的一端与所述集气箱内部相连通。

2.根据权利要求1所述的半导体前段设备模组的排气装置,其特征在于,所述集气箱的所述开口面的大小与所述半导体前段设备模组的底面尺寸匹配,使所述开口面重合于所述半导体前段设备模组的底面。

3.根据权利要求1所述的半导体前段设备模组的排气装置,其特征在于,所述半导体前段设备模组的排气装置还包括架空地板,所述架空地板设置于所述半导体前段设备模组与所述集气箱之间,所述架空地板具有多个连通所述架空地板的上表面与下表面的通孔,以使所述半导体前段设备模组的废气经过所述通孔收集至所述集气箱。

4.根据权利要求3所述的半导体前段设备模组的排气装置,其特征在于,所述排气装置还包括支架与支撑在所述支架上的横梁,所述架空地板支撑在所述横梁上,所述集气箱安装在所述支架的支撑高度中。

5.根据权利要求4所述的半导体前段设备模组的排气装置,其特征在于,所述支架与所述横梁的表面形成有耐腐蚀材料层。

6.根据权利要求1所述的半导体前段设备模组的排气装置,其特征在于,所述排气装置还包括真空抽气模块,所述真空抽气模块连接所述排气管路的出气口。

7.根据权利要求1所述的半导体前段设备模组的排气装置,其特征在于,所述排气装置还包括废气处理模块,所述废气处理模块设置于所述排气管路中。

8.根据权利要求1所述的半导体前段设备模组的排气装置,其特征在于,所述集气箱的内壁和所述排气管路的内壁形成有耐腐蚀材料层。

9.根据权利要求1-8任一所述的半导体前段设备模组的排气装置,其特征在于,所述集气箱的底部设有排气孔,连接所述排气管路的一端;所述集气箱的底部还设有支架孔,以供支架纵向贯穿所述集气箱;所述集气箱的两侧设有横梁开口,以供横梁横向贯穿所述集气箱。

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