[发明专利]处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法有效
申请号: | 201811250812.6 | 申请日: | 2018-10-25 |
公开(公告)号: | CN109712910B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 岩畑翔太;樋口鲇美;藤田惠理;藤谷佳礼;真野雅子;竹松佑介;奥谷洋介 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 张敬强;金成哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 供给 装置 以及 方法 | ||
1.一种处理液供给装置,向处理基板的处理单元供给处理液,其特征在于,包括:
供给配管,其输送贮存处理液的处理液箱内的处理液,将从上述处理液箱输送的处理液供给至上述处理单元;
返回配管,其与上述供给配管分支连接,使上述供给配管内的处理液返回上述处理液箱;
第一加热单元,其对在上述供给配管中设定于比连接有上述返回配管的分支位置靠上游侧的上游侧被加热部分内的处理液进行加热;
第二加热单元,其对在上述供给配管中设定于比上述分支位置靠下游侧的下游侧被加热部分内的处理液进行加热;
冷却单元,其对设定于上述返回配管的被冷却部分内的处理液进行冷却,在由上述第一加热单元加热并输送至上述返回配管的处理液经由上述返回配管返回上述处理液箱之前对该处理液进行冷却;以及
第一过滤器,其在比上述上游侧被加热部分靠上游侧夹装于上述供给配管,对从上述处理液箱输送的处理液中的颗粒进行去除。
2.根据权利要求1所述的处理液供给装置,其特征在于,
还包括第二过滤器,该第二过滤器在比上述分支位置靠下游侧夹装于上述供给配管,对处理液中的颗粒进行去除。
3.根据权利要求2所述的处理液供给装置,其特征在于,
还包括开闭阀,该开闭阀在比上述分支位置靠下游侧夹装于上述供给配管,上述第二过滤器在比上述开闭阀靠上游侧夹装于上述供给配管。
4.根据权利要求2所述的处理液供给装置,其特征在于,
还包括开闭阀,该开闭阀在比上述分支位置靠下游侧夹装于上述供给配管,上述第二过滤器在比上述开闭阀靠下游侧夹装于上述供给配管。
5.根据权利要求1或2所述的处理液供给装置,其特征在于,
还包括第三过滤器,该第三过滤器在比上述上游侧被加热部分靠下游侧、而且比上述分支位置靠上游侧夹装于上述供给配管,对处理液中的颗粒进行去除。
6.根据权利要求1或2所述的处理液供给装置,其特征在于,
还包括第四过滤器,该第四过滤器在比上述被冷却部分靠上游侧夹装于上述返回配管,对处理液中的颗粒进行去除。
7.根据权利要求1或2所述的处理液供给装置,其特征在于,
还包括第五过滤器,该第五过滤器在比上述被冷却部分靠下游侧夹装于上述返回配管,对处理液中的颗粒进行去除。
8.根据权利要求1或2所述的处理液供给装置,其特征在于,
上述第一加热单元包括:具有与上述上游侧被加热部分的外周面对置的内周面的第一筒状配管;以及向上述上游侧被加热部分的外周面与上述第一筒状配管的内周面之间供给加热流体的第一加热流体供给单元。
9.根据权利要求1或2所述的处理液供给装置,其特征在于,
上述第二加热单元包括:具有与上述下游侧被加热部分的外周面对置的内周面的第二筒状配管;以及向上述下游侧被加热部分的外周面与上述第二筒状配管的内周面之间供给加热流体的第二加热流体供给单元。
10.根据权利要求1或2所述的处理液供给装置,其特征在于,
上述第一加热单元包括配置于上述供给配管的上述上游侧被加热部分的第一加热器,
上述第二加热单元包括配置于上述供给配管的上述下游侧被加热部分的第二加热器。
11.根据权利要求1或2所述的处理液供给装置,其特征在于,
上述冷却单元包括:具有与上述返回配管的上述被冷却部分的外周面对置的内周面的第三筒状配管;以及向上述被冷却部分的外周面与上述第三筒状配管的内周面之间供给冷却流体的冷却流体供给单元。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团,未经株式会社斯库林集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811250812.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基板处理装置和基板处理方法
- 下一篇:一种防止混档的控制方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造