[发明专利]普通烧结炉烧制低钴细晶硬质合金的方法

说明书

本发明公开了普通烧结炉烧制低钴细晶硬质合金的方法，依次包括以下步骤：将低钴细晶硬质合金毛胚放入烧结炉内，通入惰性气体进行脱蜡；脱蜡后炉内保持惰性气体微正压烧结，烧结温度低于共晶点温度10～20℃，保温30～120分钟；抽真空进行二次烧结，采用5‑20℃/min的升温速度进行烧结，烧结温度1380～1470℃，时间60‑120分钟，降至室温完成烧结。本发明的优点是：采用本方法和常规烧结方法对比，钴磁从4.2升到5.2，第一次烧结产品完成收缩的80％‑90％，晶粒表面能迅速降低，对氧的敏感程度降低，降温后进行第二次真空烧结，二次真空烧结可以通过较快的升温速度，这样尽可能地降低炉内损碳，这样能把内部气体脱除，产品内部孔隙大大降低。

技术领域

本发明涉及硬质合金制备领域，具体来说，涉及普通烧结炉烧制低钴细晶硬质合金的方法。

背景技术

在硬质合金产品在生产的中，产品的质量和稳定性对设备的要求非常高，对于动辄上百万的烧结炉，小型的生产企业是较难承受的。对于陈旧的设备，设备稳定性差，低钴细晶的两相区较窄，这样的设备是很难稳定地烧出合格的低钴细晶产品。一次烧结必须通过真空烧结才能控制产品内部孔隙率，而一次烧结升温速度不能过快，太快产品容易开裂，升温速度慢，炉内损碳多，产品容易脱碳。

发明内容

本发明的目的在于提供普通烧结炉烧制低钴细晶硬质合金的方法，能够有效解决现有普通烧结炉在烧制低钴细晶硬质合金时产品质量不易控制的问题。

为了解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：普通烧结炉烧制低钴细晶硬质合金的方法，依次包括以下步骤：

A.第一次烧结：将低钴细晶硬质合金毛胚放入烧结炉内，抽真空后通入惰性气体进行脱蜡；脱蜡后炉内保持惰性气体微正压烧结，烧结温度低于共晶点温度10～20℃，保温30～120分钟；

B.第二次烧结：抽真空进行二次烧结，采用5-20℃/min的升温速度进行烧结，烧结温度1380～1470℃，时间60-120分钟，降至室温完成烧结。

所述第一次烧结完成时，毛胚完成产品收缩80～90％；使毛胚表面能降低，从而降低胚胎表面的活性，不易与空气进行反应，但表面又不完全致密，在二次烧结时利于气体排出。

优选的，步骤A中通入的惰性气体为氩气；具有稳定的化学性质，又无毒无害。

优选的，步骤A采用分段加压进行烧结，所述分段加压的工艺过程为：

第一阶段：加压至0～6MPa，保压20～40S；

第二阶段：加压至7～12MPa，保压30～100S；

第三阶段：加压至13～20MPa，保压80～160S；

第四阶段：加压至21～23MPa，保压100～400S；

第五阶段：加压至24～26MPa，保压300～800S。

本发明的优点是：采用本方法和常规烧结方法对比，钴磁从4.2升到5.2，先用氩气正压脱蜡，脱蜡后用氩气微正压保护烧结，烧结温度接近但低于共晶点温度，保温一段时间，此时产品完成收缩的80％-90％，晶粒表面能迅速降低，对氧的敏感程度降低，降温后进行第二次真空烧结，二次真空烧结可以通过较快的升温速度，这样尽可能地降低炉内损碳，这样能把内部气体脱除，产品内部孔隙大大降低。

具体实施方式

普通烧结炉烧制低钴细晶硬质合金的方法的实施例，以烧制牌号YG6X低钴细晶硬质合金为例，将该牌号毛胚放入普通烧结炉内，抽真空后通入氩气或者氦气等稀有气体进行脱蜡，脱蜡后炉内保持0.2MPa进行微正压烧结，烧结温度为1250℃，保温90分钟，降至常温然后抽真空进行二次烧结，采用10℃/min的升温速度进行烧结，烧结温度为1430℃，保温60分钟。