[发明专利]一种单端输入的低功耗同步寄存器型逐次逼近ADC有效
申请号: | 201811252034.4 | 申请日: | 2018-10-25 |
公开(公告)号: | CN109639282B | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 朱樟明;李哲;刘术彬;李登全;马瑞 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H03M1/46 | 分类号: | H03M1/46;H03M1/08;H03M1/00 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 张捷 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 输入 功耗 同步 寄存器 逐次 逼近 adc | ||
1.一种单端输入的低功耗同步寄存器型逐次逼近ADC,其特征在于,包括:自举开关(1)、差分电容阵列(2)、比较器(3)、SAR逻辑控制器(4)和输出寄存器(5);其中,
所述差分电容阵列(2)分别连接所述比较器(3)和所述SAR逻辑控制器(4);
所述差分电容阵列(2)通过所述自举开关(1)连接输入端;
所述比较器(3)连接所述SAR逻辑控制器(4);
所述SAR逻辑 控制器(4)连接所述输出寄存器(5);
所述输出寄存器(5)连接输出端;
所述差分电容阵列包括:第一电容阵列(21)、第二电容阵列(22)、第一开关组(23)、第二开关组(24)、第一选择电压端(25)和第二选择电压端(26);
所述自举开关包括:开关S1和开关S2;其中,
所述第一电容阵列(21)的上极板分别连接所述开关S1和所述比较器(3)的正向输入端;
所述第一电容阵列(21)的下极板通过第一开关组(23)连接至所述第一选择电压端(25);
所述第二电容阵列(22)的上极板分别连接所述开关S2和所述比较器(3)的反向输入端;
所述第二电容阵列(22)的下极板通过第二开关组(24)连接至所述第二选择电压端(26);
第一电容阵列(21)的上极板通过开关S1连接至输入电压Vin,第二电容阵列(22)的上极板通过开关S2连接至参考电压Vcm;
其中,若比较器(3)正向输入端信号小于负向输入端信号,则将第二电容阵列(22)中所有电容下极板接地电压GND;若比较器(3)负向输入端信号小于正向输入端信号,则将第一电容阵列(21)中所有电容下极板接地电压GND;
后续比较过程:在第一次的比较基础上,若第一次比较过程中,比较器(3)正向输入端信号小于负向输入端信号,且在第二次比较过程中,比较器(3)正向输入端信号小于负向输入端信号,则将第一电容阵列(21)中最高位的电容C18的下极板通过第一开关组(23)的开关K18从参考电压Vcm转换为基准电压Vref;
在第一次的比较基础上,若第一次比较过程中,比较器3正向输入端信号小于负向输入端信号,且在第二次比较过程中,比较器3正向输入端信号大于负向输入端信号,则将第二电容阵列(22)中最高位的电容C28的下极板通过第二开关组(24)的开关K28从地电压GND转换为参考电压Vcm;
在第一次的比较基础上,若第一次比较过程中,比较器(3)正向输入端信号大于负向输入端信号,且在第二次比较过程中,比较器(3)正向输入端信号小于负向输入端信号,则将第一电容阵列(21)中最高位的电容C18的下极板通过开关K18从地电压GND转换为参考电压Vcm;
在第一次的比较基础上,若第一次比较过程中,比较器3正向输入端信号大于负向输入端信号,且在第二次比较过程中,比较器3正向输入端信号大于负向输入端信号,则将第二电容阵列(22)中最高位的电容C28的下极板通过开关K28从参考电压Vcm转换为基准电压Vref;
依次类推,直到最低位电容下极板完成的状态切换完成。
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