[发明专利]能够发射涡旋空心光的垂直腔面发射半导体激光器有效
| 申请号： | 201811252788.X | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109412016B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 晏长岭;刘云;冯源;杨静航;逄超 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 王丹阳 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电极 下电极 分布布拉格反射镜 欧姆接触层 空心光 涡旋 垂直腔面发射半导体激光器 几何中心 局部区域 空心圆柱 圆心角 增益区 半导体激光器 相位转换装置 氧化物限制层 衬底下表面 固体激光器 激光器轴线 上表面边缘 技术采用 发射 高阻区 衬底 连线 腔内 相交 输出 | ||
【权利要求书】：
1.一种能够发射涡旋空心光的垂直腔面发射半导体激光器，自上而下依次是上电极(1)、欧姆接触层(2)、上分布布拉格反射镜(3)、氧化物限制层(4)、有源增益区(5)、下分布布拉格反射镜(6)、衬底(7)、下电极(8)；欧姆接触层(2)、上分布布拉格反射镜(3)以及有源增益区(5)层叠在一起构成一个具有空心部分的圆柱区域，该圆柱区域的内径为85μm～95μm、外径为115μm～125μm；氧化物限制层(4)的形状为环形，所述环形的宽度为3μm～5μm，所述环形的外径与所述圆柱区域的外径尺寸相同；在所述圆柱区域的空心部分的下面有高阻区(9)，高阻区(9)的底面与下分布布拉格反射镜(6)接触，高阻区(9)的顶面的高度高于上分布布拉格反射镜(3)的内镜面、低于上分布布拉格反射镜(3)的外镜面；其特征在于，上电极(1)位于欧姆接触层(2)上表面边缘的局部区域，下电极(8)位于衬底(7)下表面边缘的局部区域，上电极(1)的几何中心、下电极(8)的几何中心的连线与激光器轴线相交，上电极(1)的圆心角θ′、下电极的圆心角θ″均在30°～90°范围内。
2.根据权利要求1所述的能够发射涡旋空心光的垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，上电极(1)、下电极(8)的形状为弓形，或者为圆心角在30°～90°范围内的环形。
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