[发明专利]一种碱溶液中晶面选择性刻蚀BiVO4 有效
| 申请号： | 201811254243.2 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN111097404B | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 刘岗;甄超;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | B01J23/22 | 分类号： | B01J23/22 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 溶液 中晶面 选择性 刻蚀 bivo base sub | ||
【权利要求书】：
1.一种碱溶液中晶面选择性刻蚀BiVO4的方法，其特征在于，以具有特定晶面暴露的BiVO4为原材料，利用BiVO4不同晶面在碱性溶液中的稳定性差异，在碱性溶液中实现对BiVO4（010）晶面的选择性刻蚀，将平整的（010）晶面被刻蚀成四棱锥阵列，碱性溶液刻蚀温度为80℃；
BiVO4原材料的结构形式为单晶薄膜、多晶薄膜或粉体；
特定晶面暴露的BiVO4是指表面暴露有（010）和（110）晶面的BiVO4光催化材料，（010）晶面为还原性晶面，而（110）晶面为氧化性晶面，通过晶面选择性暴露调制金属氧化物表面原子/电子结构，有效提高光生电荷的表面转移效率；
碱性溶液刻蚀时间为1分钟至24小时。
2.按照权利要求1所述的碱溶液中晶面选择性刻蚀BiVO4的方法，其特征在于，碱性溶液涵盖pH大于7的各种溶液。
3.按照权利要求1所述的碱溶液中晶面选择性刻蚀BiVO4的方法，其特征在于，碱性溶液pH为9至14。
4.按照权利要求1所述的碱溶液中晶面选择性刻蚀BiVO4的方法，其特征在于，碱性溶液刻蚀时间为30分钟至2小时。
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