[发明专利]一种多谷透射元件及其制备方法

权利要求书

1.一种多谷透射元件，其特征在于，包括基底，所述基底上沉积有具有若干个选择透射衰减带特性的介质层；

所述的介质层由依次沉积在基底上的高折射率材料层和低折射率材料层两层薄膜组成；所述的基底为玻璃或塑料；所述的低折射率材料为二氧化硅、三氧化二铝、氟化镁和氟化钇中的一种；

基底与低折射率材料之间的折射率差值小于或等于0.2。

2.根据权利要求1所述的多谷透射元件，其特征在于，所述的低折射率材料层的厚度为50~1000nm。

3.根据权利要求1所述的多谷透射元件，其特征在于，所述的高折射率材料为二氧化钛、二氧化铪、五氧化二钽、氮化硅、硫化锌或硅中的一种。

4.根据权利要求3所述的多谷透射元件，其特征在于，所述的高折射率材料层的厚度为5~200nm。

5.根据权利要求1所述的多谷透射元件，其特征在于，所述的基底为K9玻璃；所述的低折射率材料为二氧化硅或氟化镁，低折射率材料层的厚度为610~650nm；所述的高折射率材料为二氧化钛、硅或硫化锌，高折射率材料层的厚度为5~40nm。

6.根据权利要求1所述的多谷透射元件，其特征在于，所述的基底为K9玻璃；所述的低折射率材料为二氧化硅，低折射率材料层的厚度为750~800nm；所述的高折射率材料为二氧化钛，高折射率材料层的厚度为65~75nm。

7.一种根据权利要求1~6任一项所述的多谷透射元件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）设定目标滤除光波段的中心波长、透过率目标；

（2）选定基底材料、低折射率材料和高折射率材料；

根据所述的中心波长和透过率目标，通过软件仿真得到低折射率材料层及高折射率材料层的厚度；

（3）将基底清洗后置于真空镀膜设备中，控制沉积参数，在基底一侧表面依次沉积仿真所得的特定厚度的高折射率材料层和低折射率材料层，即得。

8.根据权利要求7所述的多谷透射元件的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，采用电子束蒸发或磁控溅射进行镀膜。