[发明专利]IC芯片输入过压保护电路及其保护方法

说明书

本发明提供一种IC芯片输入过压保护电路及其保护方法，其中保护电路包括MOS管和控制电路，MOS管的源极和漏极分别与电路输入端和IC芯片电路电性连接，控制电路连接在MOS管的源极和栅极之间；当电路输入端输入的电压小于或等于预定电压时，控制电路控制MOS管的源极和栅极之间存在电位差，MOS管导通，当电路输入端输入的电压大于预定电压时，控制电路控制MOS管的源极和栅极之间不存在电位差，MOS管截止。本发明与现有技术相比，具有使用方便、成本低、保护效率高和截止时间快等优点。

技术领域

本发明涉及IC芯片的保护电路技术领域，尤其是涉及一种IC芯片输入过压保护电路及其保护方法。

背景技术

在含有电路系统的设备中，由于电路系统正常工作时的输入电压并不高，因此传统的电路系统是电路直接给IC芯片供电。但是当电路系统误接入高压时，高压会将电路系统中的IC芯片烧坏，从而导致整个设备的损坏。为了解决这个问题，人们将IC芯片更换成耐高压的IC芯片，可是耐高压的IC芯片会导致成本的上升。

发明内容

为了克服上述问题，本发明提供一种IC芯片输入过压保护电路及其保护方法，其成本低，并且保护效率高。

本发明的一种技术方案是：提供一种IC芯片输入过压保护电路，包括MOS管和控制电路，所述MOS管的源极和漏极分别与电路输入端和IC芯片电路电性连接，所述控制电路连接在所述MOS管的源极和栅极之间；当电路输入端输入的电压小于或等于预定电压时，所述控制电路控制所述MOS管的源极和栅极之间存在电位差，所述MOS管导通，当电路输入端输入的电压大于预定电压时，所述控制电路控制所述MOS管的源极和栅极之间不存在电位差，所述MOS管截止。

作为对本发明的改进，所述控制电路包括第一开关电路和与所述第一开关电路并联的第一负载；当电路输入端输入的电压小于或等于预定电压时，所述第一开关电路断开，当电路输入端输入的电压大于预定电压时，所述第一开关电路接通，所述第一负载短路。

作为对本发明的改进，所述第一开关电路包括稳压二极管、第一三极管和第一限流负载，所述稳压二极管的正极通过所述第一限流负载接地，所述稳压二极管的负极与所述第一三极管的基极电性连接，所述第一三极管的集电极和发射极连接在所述MOS管的源极和栅极之间。

作为对本发明的改进，还包括第二负载，所述MOS管的栅极通过所述第二负载接地。

作为对本发明的改进，还包括第二开关电路，所述第二负载通过所述第二开关电路接地。

作为对本发明的改进，所述第二开关电路包括第二限流负载、第三限流负载和第二三极管，信号控制端与所述第二限流负载的一端电性连接，所述第三限流负载的一端接地，所述第二限流负载的另一端和所述第三限流负载的另一端分别与所述第二三极管的基极电性连接，所述第二三极管的集电极和发射极连接在所述第二负载和地之间。

本发明的另一种技术方案是：提供一种IC芯片输入过压保护方法，当电路输入端输入的电压小于或等于预定电压时，控制电路控制MOS管的源极和栅极之间存在电位差，所述MOS管导通，电路输入端通过所述MOS管给IC芯片电路提供电能；当电路输入端输入的电压大于预定电压时，所述控制电路控制所述MOS管的源极和栅极之间不存在电位差，所述MOS管截止，电路输入端停止通过所述MOS管给所述IC芯片电路提供电能。

作为对本发明的改进，所述控制电路包括第一开关电路和与所述第一开关电路并联的第一负载；当电路输入端输入的电压小于或等于预定电压时，所述第一开关电路断开，当电路输入端输入的电压大于预定电压时，所述第一开关电路接通，所述第一负载短路。

作为对本发明的改进，当电路输入端输入的电压大于预定电压时，所述第一开关电路中的稳压二极管导通，所述第一开关电路接通。

作为对本发明的改进，第二开关电路控制与所述MOS管的栅极电性连接的第二负载接地或与地断开。