[发明专利]多孔碳产品的生产有效
申请号: | 201811256030.3 | 申请日: | 2018-10-26 |
公开(公告)号: | CN109795999B | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | A·霍夫曼;M·怀纳曼;D·萨穆利斯;M·特罗默;F·韦瑟利 | 申请(专利权)人: | 贺利氏电池科技有限公司 |
主分类号: | C01B32/05 | 分类号: | C01B32/05;H01M4/583;H01M4/90 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 彭立兵;林柏楠 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多孔 产品 生产 | ||
1.一种生产多孔碳产品的方法,其包含以下工艺步骤:
a) 提供基底表面;
b) 将二氧化硅作为层沉积在基底表面上,由此获得多孔二氧化硅材料;
c) 使基底表面上的多孔二氧化硅材料与第一碳源接触,由此获得包含多孔二氧化硅材料和第一碳源的第一前体;
d) 加热第一前体,由此获得包含多孔二氧化硅材料和碳的第二前体;和
e) 至少部分脱除第二前体中的二氧化硅,由此获得所述多孔碳产品。
2.根据权利要求1的方法,其中满足一个或多个下列标准:
a. 步骤b)中的沉积在沉积位置进行,其中所述沉积位置和所述基底表面可相对于彼此运动;
b. 步骤c)中的接触在接触位置进行,其中所述接触位置和所述基底表面可相对于彼此运动;
c. 步骤d)中的加热在加热位置进行,其中所述加热位置和所述基底表面可相对于彼此运动;
d. 步骤e)中的所述至少部分脱除在脱除位置进行,其中所述脱除位置和所述基底表面可相对于彼此运动。
3.根据权利要求1或2的方法,其中所述二氧化硅层在步骤b)中在不多于20个层中沉积。
4.根据权利要求1或2的方法,其中所述方法是连续方法。
5.根据权利要求1或2的方法,其中所述基底表面是选自下列的一种或两种:
a. 带的表面;
b. 刚性体的表面。
6.根据权利要求1或2的方法,其包含粉碎下列之一的步骤:
a. 第一前体;
b. 第二前体;
c. 多孔碳产品。
7.根据权利要求1或2的方法,其中在两个或更多个分开的位置沉积二氧化硅。
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