[发明专利]快恢复二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种快恢复二极管，包括：元胞区、围绕所述元胞区设置的主结区和围绕所述主结区设置的终端区，其特征在于，在所述主结区的周向方向上，所述主结区包括多个间隔设置的第一掺杂区，多个所述第一掺杂区与所述元胞区中的有源区同层设置；

所述快恢复二极管满足以下条件中的至少一种：

多个所述第一掺杂区的结深与所述有源区的结深相等；

多个所述第一掺杂区中的掺杂离子浓度与所述有源区中的掺杂离子浓度相等。

2.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述主结区还包括第二掺杂区，所述第二掺杂区围绕多个所述第一掺杂区设置，且与所述有源区同层设置。

3.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述第一掺杂区的宽度和相邻两个所述第一掺杂区之间的间隙的宽度的比例为(1:3)～(5:1)。

4.根据权利要求3所述的快恢复二极管，其特征在于，所述第一掺杂区的宽度为2～20微米，相邻两个所述第一掺杂区之间的间隙的宽度为2～20微米。

5.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述主结区的宽度为40～150微米。

6.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述元胞区包括PIN结构或MPS结构。

7.根据权利要求2所述的快恢复二极管，其特征在于，所述第二掺杂区的宽度为5～20微米。

8.根据权利要求2所述的快恢复二极管，其特征在于，包括：

衬底；

外延层，所述外延层设置在所述衬底的上表面上；

场氧化层，所述场氧化层设置在所述外延层的上表面上，且位于终端区；

所述第二掺杂区，所述第二掺杂区从所述外延层的上表面向所述外延层中延伸；

多个所述第一掺杂区，多个所述第一掺杂区从所述外延层的上表面向所述外延层中延伸；

绝缘介质层，所述绝缘介质层设置在所述场氧化层、所述主结区中的所述外延层的上表面上；

阳极金属，所述阳极金属设置在所述绝缘介质层和所述有源区的上表面上；

钝化层，所述钝化层设置在阳极金属的上表面上；

背面金属，所述背面金属设置在所述衬底的下表面上。

9.一种制备权利要求1～8中任一项所述的快恢复二极管的方法，其特征在于，包括：

在衬底的上表面上形成外延层；

在所述外延层的上表面上形成位于终端区的场氧化层；

对未被所述场氧化层覆盖的所述外延层进行一次掺杂处理，以形成位于有源区和多个第一掺杂区。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述一次掺杂处理步骤中，同时形成所述有源区、所述第一掺杂区和第二掺杂区。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述场氧化层和主结区中的所述外延层的上表面上形成绝缘介质层；

在所述绝缘介质层和所述有源区的上表面上形成阳极金属；

在所述阳极金属的上表面上形成钝化层；

在所述衬底的下表面上形成背面金属。