[发明专利]一种功率器件终端结构及其制作方法

权利要求书

1.一种功率器件终端结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一导电类型的衬底；

在所述衬底上表面形成第一导电类型的第一外延层；

在所述第一外延层上表面依次形成第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度，所述第二沟槽的深度大于所述第三沟槽的深度；

在所述第一沟槽的侧壁形成第二导电类型的第二外延层,从而形成第四沟槽；

在所述第二沟槽内填充第二导电类型的第三外延层；

在所述第三沟槽内填充第二导电类型的第四外延层；

在所述第一外延层上表面和所述第四沟槽内形成第二导电类型的第五外延层；

在所述第五外延层上表面形成介质层；

刻蚀所述介质层与所述第五外延层形成第一接触孔，所述第一接触孔贯穿所述介质层以及所述第五外延层与所述第三外延层上表面连接；

刻蚀所述介质层与所述第五外延层形成第二接触孔，所述第二接触孔贯穿所述介质层以及所述第五外延层与所述第四外延层上表面连接；

在所述第一接触孔和所述第二接触孔内填充第一多晶硅层；

在所述介质层上表面形成第二多晶硅层，所述第二多晶硅层的两端分别与两个所述第一多晶硅层上表面连接。

2.根据权利要求1所述的功率器件终端结构的制作方法，其特征在于，所述第五外延层的离子浓度大于所述第二外延层、所述第三外延层、所述第四外延层的离子浓度。

3.根据权利要求1所述的功率器件终端结构的制作方法，其特征在于，所述第二外延层、所述第三外延层以及所述第四外延层的离子浓度大致相同。

4.根据权利要求1所述的功率器件终端结构的制作方法，其特征在于，所述第二接触孔内的所述多晶硅层与所述第四外延层远离所述第三外延层的一端连接。

5.根据权利要求1所述的功率器件终端结构的制作方法，其特征在于，所述第三沟槽的宽度大于所述第一沟槽和所述第二沟槽的宽度。

6.一种功率器件终端结构，其特征在于，包括：

第一导电类型的衬底；

形成于所述衬底上表面的第一导电类型的第一外延层；

依次形成于所述第一外延层上表面的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度，所述第二沟槽的深度大于所述第三沟槽的深度；

形成于所述第一沟槽侧壁的第二导电类型的第二外延层,从而形成的第四沟槽；

填充于所述第二沟槽内的第二导电类型的第三外延层；

填充于所述第三沟槽内的第二导电类型的第四外延层；

形成于所述第一外延层上表面和所述第四沟槽内的第二导电类型的第五外延层；

形成于所述第五外延层上表面的介质层；

形成于所述介质层上表面的第一接触孔，所述第一接触孔贯穿所述介质层以及所述第五外延层与所述第三外延层上表面连接；

形成于所述介质层上表面的第二接触孔，所述第二接触孔贯穿所述介质层以及所述第五外延层与所述第四外延层上表面连接；

填充于所述第一接触孔和所述第二接触孔内的第一多晶硅层；

形成于所述介质层上表面的第二多晶硅层，所述第二多晶硅层的两端分别与两个所述第一多晶硅层上表面连接。

7.根据权利要求6所述的功率器件终端结构，其特征在于，所述第五外延层的离子浓度大于所述第二外延层、所述第三外延层、所述第四外延层的离子浓度。

8.根据权利要求6所述的功率器件终端结构，其特征在于，所述第二外延层、所述第三外延层以及所述第四外延层的离子浓度大致相同。

9.根据权利要求6所述的功率器件终端结构，其特征在于，所述第二接触孔内的所述多晶硅层与所述第四外延层远离所述第三外延层的一端连接。

10.根据权利要求6所述的功率器件终端结构，其特征在于，所述第三沟槽的宽度大于所述第一沟槽和所述第二沟槽的宽度。