[发明专利]自支撑微纳米结构及其制作方法在审
申请号: | 201811257763.9 | 申请日: | 2018-10-26 |
公开(公告)号: | CN109437093A | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 黄永丹;熊康林;黄增立;许蕾蕾;孙骏逸;冯加贵;武彪;丁孙安;陆晓鸣 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 牺牲层 微纳米结构 自支撑 功能层 图案化区域 制作 图案化处理 微纳米材料 预设图案 成品率 可控性 图案部 衬底 去除 投影 覆盖 应用 | ||
1.一种自支撑微纳米结构的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
在衬底(1)上形成牺牲层(2)以及覆盖牺牲层(2)的功能层(3);
在功能层(3)上预设图案化区域,在图案化区域内进行图案化处理,以在功能层(3)中形成露出部分牺牲层(2a)的图案部(3a);其中,所述部分牺牲层(2a)为所述图案化区域在所述牺牲层(2)的投影范围内的牺牲层;
将所述部分牺牲层(2a)去除,获得自支撑微纳米结构。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括:对其上的所述部分牺牲层(2a)被去除后的衬底(1)进行热处理。
3.根据权利要求1或2所述的制作方法,其特征在于,所述对功能层(3)进行图案化处理的方法包括:
将形成有牺牲层(2)和功能层(3)的衬底(1)置于扫描电镜/聚焦离子束的双束系统的真空腔体内;
利用扫描电镜在功能层(3)的表面上确定图案化位置,并在图案化位置绘制预设图案;
利用聚焦离子束轰击所述预设图案所在的功能层(3)表面,以按照所述预设图案形成所述图案部(3a)。
4.根据权利要求1或2所述的制作方法,其特征在于,所述将所述部分牺牲层(2a)去除的方法包括:
将其上的功能层(3)被图案化处理后的衬底(1)置于干法刻蚀机内;
向所述干法刻蚀机内通入刻蚀气体和催化气体,使刻蚀气体经由所述图案部(3a)与所述部分牺牲层(2a)进行反应,从而将所述部分牺牲层(2a)去除。
5.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,所述刻蚀气体为氟化氢气体。
6.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,所述功能层(3)的材料包括不与所述刻蚀气体进行反应的介质材料或者金属材料。
7.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,所述牺牲层(2)的材料为氧化硅。
8.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,所述催化气体为气态水或者气态无水乙醇。
9.根据权利要求1或2所述的制作方法,其特征在于,所述功能层(3)的厚度为50nm~300nm;和/或所述牺牲层(2)的厚度为450nm~500nm。
10.一种由权利要求1至9任一项所述的制作方法制作形成的自支撑微纳米结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811257763.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。