[发明专利]反应腔室及薄膜沉积设备

权利要求书

1.一种反应腔室，包括基座和环绕所述基座设置的偏置磁体组件，其特征在于，还包括偏置磁体升降机构，用于驱动所述偏置磁体组件进行升降运动。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述偏置磁体升降机构包括升降单元和驱动单元，所述升降单元分别与所述驱动单元和所述偏置磁体组件连接，所述驱动单元用于驱动所述升降单元进行升降，以带动所述偏置磁体组件进行升降运动。

3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述偏置磁体升降机构还包括第一连接支撑板，所述偏置磁体组件通过所述第一连接支撑板连接与所述升降单元连接。

4.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室中还包括顶针，所述偏置磁体升降机构还包括第二连接支撑板，所述顶针通过所述第二连接支撑板与所述升降单元连接，以在所述驱动单元的驱动下带动所述顶针与所述偏置磁体组件同步进行升降运动。

5.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室内设置有靶材，所述偏置磁体组件与所述靶材之间的距离的取值范围为90mm～180mm。

6.根据权利要求1-5中任一所述的反应腔室，其特征在于，还包括基座升降机构，用于驱动所述基座进行升降运动，所述偏置磁体组件与所述基座之间的高度差的取值范围为0mm～10mm。

7.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，还包括内衬，所述内衬环绕所述反应腔室的侧壁内侧，且所述内衬与所述反应腔室的侧壁之间具有预设间距，以能够容许所述偏置磁体组件上升至所述内衬与所述侧壁之间的位置。

8.根据权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，所述内衬包括竖直部和倾斜部，其中，

所述竖直部环绕所述反应腔室的侧壁内侧，且与所述反应腔室的侧壁之间具有所述预设间距；

所述倾斜部环绕所述反应腔室的侧壁内侧，且位于所述竖直部的上方，并且所述倾斜部的下端与所述竖直部的上端连为一体，所述倾斜部的上端与所述反应腔室的侧壁固定连接。

9.根据权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，所述内衬的材料为非磁性材料。

10.一种薄膜沉积设备，包括反应腔室，其特征在于，所述反应腔室为权利要求1-9中任一所述的反应腔室。