[发明专利]包括多个变阻器晶片的过电压保护装置

权利要求书

1.一种过电压保护装置，包括：

第一电极构件；

第二电极构件；

变阻器组件，所述变阻器组件插置在所述第一电极构件与所述第二电极构件之间并且电连接到所述第一电极构件和所述第二电极构件中的每一个，所述变阻器组件包括

由变阻器材料形成的第一变阻器晶片和第二变阻器晶片；和

第一互连构件，所述第一互连构件将所述第一变阻器晶片和所述第二变阻器晶片电并联地连接在所述第一电极构件和所述第二电极构件之间；

其中所述第一变阻器晶片和所述第二变阻器晶片轴向堆叠在所述第一电极构件和所述第二电极构件之间；

导电的可熔化构件，其中所述可熔化构件响应于所述过电压保护装置中的热而熔化并且形成横跨所述第一电极构件和所述第二电极构件的电短路路径；和

空隙填充构件，所述空隙填充构件围绕所述变阻器的至少一部分，其中所述空隙填充构件由电绝缘材料形成；

其中：

所述过电压保护装置包括限定腔室的侧壁，所述腔室包括第一子腔室和与所述第一子腔室流体连通的第二子腔室；

所述可熔化构件设置在所述第一子腔室中；

所述变阻器组件设置在所述第二子腔室中，并且间隙空间在所述第二子腔室中被限定在所述变阻器组件与所述侧壁之间；并且

所述空隙填充构件设置在所述间隙空间中以限制所述可熔化构件流入到所述间隙空间中，

所述空隙填充构件包括接纳凹部；并且

所述第一互连构件的一部分向外延伸超过所述第一变阻器晶片和所述第二变阻器晶片并且设置在所述接纳凹部中。

2.根据权利要求1所述的过电压保护装置，其中，所述空隙填充构件由电绝缘陶瓷形成。

3.根据权利要求1所述的过电压保护装置，其中，所述空隙填充构件占据所述间隙空间的至少50％。

4.根据权利要求1所述的过电压保护装置，其中，所述空隙填充构件包括围绕所述第一变阻器晶片的管状空隙填充套筒。

5.根据权利要求4所述的过电压保护装置，其中：

所述空隙填充套筒包括大体上适形于所述第一变阻器晶片的外形状的内表面；并且

所述空隙填充套筒包括大体上适形于所述侧壁的内壁表面的形状的外表面。

6.根据权利要求5所述的过电压保护装置，其中：

所述空隙填充套筒的内表面与所述第一变阻器晶片之间的间隙小于2mm；并且

所述空隙填充套筒的外表面与所述侧壁的内壁表面之间的间隙小于0.5mm。

7.根据权利要求4所述的过电压保护装置，其中，所述空隙填充套筒包括具有至少2mm的标称厚度的套筒侧壁。

8.根据权利要求4所述的过电压保护装置，其中，所述空隙填充套筒是整体式的。

9.根据权利要求1所述的过电压保护装置，其中，所述接纳凹部是限定在所述空隙填充构件的内表面中的轴向延伸通道。

10.根据权利要求1所述的过电压保护装置，其中，所述接纳凹部的深度在1mm至12mm的范围内。

11.根据权利要求1所述的过电压保护装置，其中，所述空隙填充构件由热塑性塑料形成。

12.根据权利要求1所述的过电压保护装置，其中，所述空隙填充构件由熔点在从120℃至200℃的范围内的材料形成。

13.根据权利要求1所述的过电压保护装置，其中，所述空隙填充构件由能够每mm厚度承受25kV的电压的材料形成。

14.根据权利要求1所述的过电压保护装置，其中，所述空隙填充构件的体积在从100mm³至100,000mm³的范围内。