[发明专利]一种溴化铈晶体及其制备方法在审
申请号: | 201811258258.6 | 申请日: | 2018-10-26 |
公开(公告)号: | CN111101200A | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 李文宝 | 申请(专利权)人: | 北京梦晖科技有限公司 |
主分类号: | C30B29/12 | 分类号: | C30B29/12;C30B1/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵青朵 |
地址: | 101300 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 溴化铈 晶体 及其 制备 方法 | ||
本发明提供了一种溴化铈晶体的制备方法,包括以下步骤:A)将溴化铈粉末与碳材料置于坩埚中;B)将步骤A)得到的坩埚真空烧封后进行热处理,得到溴化铈晶体。本申请还提供了一种溴化铈晶体。本申请在制备溴化铈晶体的过程中,在溴化铈生长原料中加入适量的碳材料作为水、氧消耗剂,消耗掉原料自带、坩埚附着、原料填装、转移、封装过程中引入的水、氧杂质,从而避免晶体生长过程中发生的物料氧化和水解作用,进而生长出透明、无开裂的高质量溴化铈单晶。
技术领域
本发明涉及无机新材料技术领域,尤其涉及一种溴化铈晶体及其制备方法。
背景技术
闪烁晶体用于制造探测器,在高能物理、核物理、影像核医学诊断、地质勘探、天文空间物理学以及安全稽查领域中有着巨大的应用前景。随着核科学技术以及其它相关技术的飞速发展,闪烁晶体的应用领域在不断的拓宽。不同应用领域对无机闪烁体也提出了更多更高的要求。传统的NaI:Tl、BGO等闪烁晶体已经无法满足新的应用领域的特殊要求。
掺铈溴化镧晶体(LaBr3:Ce)自1999年被发现后,由于其优异的闪烁性能掀起了研究的热潮。掺铈溴化镧光输出可达78000Ph/MeV,其衰减时间快达16ns,其密度为5.1g/cm3,对高性能射线的吸收能力明显强于NaI:Tl晶体,且其环境污染的风险远远小于NaI:Tl,因此LaBr3:Ce晶体目前已成为光输出高、衰减快闪烁晶体的代表,该晶体有望全面取代NaI:Tl晶体,从而在医疗仪器、安全检查和油井探测等领域得到广泛使用。溴化铈(CeBr3)闪烁晶体有着很高的发光产额(约45000p/MeV)、高的能量分辨(约4%),相比LaBr3:Ce,虽然其性能指标略差,但是其本征的噪音更低,用途也十分广泛。
CeBr3晶体生长困难,主要是由于CeBr3极易吸水和氧化,生成CeOBr或CeO2,容易造成晶体的开裂与不透明。即使CeBr3原料的水氧含量极低,在配料、装管、坩埚封装过程中也很难避免物料的吸水和吸氧,造成物料的水解和氧化,从而不利于获得透明无开裂的晶体。
发明内容
本发明解决的技术问题在于提供一种溴化铈晶体的制备方法,本申请提供的制备方法可获得结晶性和透明度好的溴化铈晶体。
有鉴于此,本申请提供了一种溴化铈晶体的制备方法,包括以下步骤:
A)将溴化铈粉末与碳材料置于坩埚中;
B)将步骤A)得到的坩埚真空烧封后进行热处理,得到溴化铈晶体。
优选的,所述溴化铈粉末与碳材料的质量比为1:n,0<n<0.01。
优选的,所述热处理的过程具体为:
将烧封后的坩埚置于布里奇曼下降炉中央,调整坩埚位于上温区;再加热后保温,然后将坩埚下降至下温区后再降温至室温。
优选的,所述上温区的温度为750~850℃,所述下温区的温度为550~650℃;所述保温的时间为24~72h。
优选的,所述下降的速率为0.01~10mm/h,所述降温的速率为1~100℃/h。
优选的,所述碳材料为碳粉或石墨粉。
优选的,所述真空烧封在真空装置下进行,所述真空烧封的压力小于5×10-3Pa。
优选的,所述碳材料的纯度99.99%,所述溴化铈粉末的纯度99.99%。
本申请还提供了一种溴化铈晶体,由溴化铈粉末与碳材料制备得到。
优选的,所述溴化铈粉末与碳材料的质量比为1:n,0<n<0.01。
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