[发明专利]一种显示面板和显示装置

权利要求书

1.一种显示面板，其特征在于，包括：显示区和围绕所述显示区的非显示区；所述显示区包括邻接设置的第一矩形区和第一异形区，所述非显示区包括与所述第一矩形区邻接的第二矩形区和与所述第一异形区邻接的第二异形区；

所述显示区包括阵列排布的像素单元，所述第二矩形区以及所述第二异形区设置有多个移位寄存器，每级所述移位寄存器与一行所述像素单元对应连接；

所述第二异形区包括激光切割影响区域，沿像素行的延伸方向，所述激光切割影响区域与至少一行所述像素行对应；所述激光切割影响区域包括激光入刀影响区域和激光出刀影响区域，所述激光入刀影响区域为以激光入刀点为中心的，一定半径范围内的区域；所述激光出刀影响区域为以激光出刀点为中心的，一定半径范围内的区域；至少所述激光入刀影响区域和所述激光出刀影响区域中不设置所述移位寄存器，所述不设置所述移位寄存器的所述激光切割影响区域在列方向上的宽度大于一个所述移位寄存器在所述列方向上的宽度。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，至少部分不设置所述移位寄存器的所述激光切割影响区域中设置有多晶硅吸收层。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，至少部分不设置所述移位寄存器的所述激光切割影响区域中设置有虚拟移位寄存器；所述虚拟移位寄存器不与所述像素单元连接。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述不设置所述移位寄存器的所述激光切割影响区域包括沿阵列排布的列方向依次排列的第一区域、第二区域和第三区域；

所述第一区域和所述第三区域设置有虚拟移位寄存器；所述虚拟移位寄存器不与所述像素单元连接；

所述第二区域设置有多晶硅吸收层。

5.根据权利要求2或4所述的显示面板，其特征在于，所述移位寄存器包括多晶硅层；所述移位寄存器的所述多晶硅层与所述多晶硅吸收层在同一工艺中采用同种材料形成。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述多晶硅吸收层包括阵列排布的多晶硅块。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，在平行于所述显示面板所在平面的平面内，所述多晶硅块的形状为圆形。

8.根据权利要求3或4所述的显示面板，其特征在于：所述移位寄存器包括多晶硅层；

所述移位寄存器还包括在所述多晶硅层远离衬底基板一侧依次层叠的第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层和第二金属层；所述第一金属层包括栅极，所述第二金属层包括源极和漏极；所述源极和所述漏极分别通过过孔与所述多晶硅层的源极区和漏极区电连接；所述过孔贯通形成于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中；

所述虚拟移位寄存器包括在衬底基板一侧依次层叠的多晶硅层、第一绝缘层、第二绝缘层和第二金属层；其中，所述虚拟移位寄存器所在区域的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中均不包括过孔结构。

9.根据权利要求3或4所述的显示面板，其特征在于：所述移位寄存器包括多晶硅层；

所述移位寄存器还包括在所述多晶硅层远离衬底基板一侧依次层叠的第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层和第二金属层；所述第一金属层包括栅极，所述第二金属层包括源极和漏极；所述源极和所述漏极分别通过过孔与所述多晶硅层的源极区和漏极区电连接；所述过孔贯通形成于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中；

所述虚拟移位寄存器包括在衬底基板一侧依次层叠的多晶硅层、第一绝缘层和第二绝缘层；其中，所述虚拟移位寄存器所在区域的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中均不包括过孔结构。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的显示面板。