[发明专利]等离子体处理设备

说明书

在此提供一种等离子体处理设备。此等离子体处理设备包括等离子体腔室及第一电极阵列，其中此等离子体腔室包括壳体及晶圆支撑物，且此第一电极阵列设置于壳体之上及之外。第一电极阵列包括复数个第一子电极。此等离子体处理设备亦包括复数个第一匹配单元设置于壳体之外，且第一匹配单元的每一者电性连接到第一子电极的每一者。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体结构的形成方法，且特别有关于一种等离子体处理设备以及包括使用此等离子体处理设备进行等离子体处理工艺的半导体结构的形成方法。

背景技术

半导体装置使用于各种电子应用中，例如，个人电脑、移动电话、数码相机和其他电子设备。半导体装置通常通过以下方式而制造，包括在半导体基板上按序沉积绝缘或介电层、导电层及半导体层，使用微影工艺图案化上述各材料层，借此在此半导体基板上形成电路组件及元件。通常在单一半导体晶圆上制造许多集成电路，并且通过沿着切割线在集成电路之间进行切割，以将各个晶粒单一化。上述各个晶粒通常分别地封装于，例如，多芯片模块中或其他类型的封装中。

在半导体装置的制造中，相较于现有的湿式化学蚀刻，等离子体处理(干式蚀刻)工艺能够提供更良好的临界尺寸控制。

虽然现有的等离子体处理设备已普遍足以实现预期的目标，然而却无法完全满足所有需求。

发明内容

本发明的一实施例提供一种等离子体处理设备，包括：等离子体腔室，包括壳体及晶圆支撑物；第一电极阵列，设置于晶圆支撑物之上，其中第一电极阵列包括复数个第一子电极；以及复数个第一匹配单元，连接到第一电极阵列，其中第一匹配单元的每一者电性连接到第一子电极的每一者。

本发明的另一实施例提供一种等离子体处理设备，包括：等离子体腔室，包括壳体及晶圆支撑物；顶部电极阵列，设置于晶圆支撑物之中，其中顶部电极阵列包括彼此隔开的复数个顶部子电极；以及底部电极阵列，设置于晶圆支撑物之上，其中底部电极阵列包括彼此隔开的复数个底部子电极。

本发明的又一实施例提供一种半导体装置结构的形成方法，包括：将包括材料层位于其上的基板放置于等离子体腔室中，其中等离子体腔室包括：壳体；第一电极阵列，包括复数个第一子电极；复数个第一匹配单元，其中第一匹配单元的每一者电性连接到第一子电极的其中一者；以及第二电极阵列，设置于壳体之中，且第二电极阵列包括复数个第二子电极；供应蚀刻气体到等离子体腔室之中；通过第一匹配单元的每一者施加第一射频功率源到第一电极阵列的第一子电极，以由蚀刻气体形成蚀刻等离子体；调整介于第一子电极的每一者与基板之间的距离，以在基板上产生等离子体密度分布；以及使用等离子体对材料层进行蚀刻工艺。

附图说明

根据以下的详细说明并配合说明书附图做完整公开。应注意的是，根据本产业的一般作业，图示并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。

图1示出依据本发明的一些实施例的等离子体处理设备的示意图。

图2A示出依据本发明的一些实施例的第一子电极的上视图。

图2A’示出依据本发明的一些实施例的第一子电极的上视图。

图2B及图2B’示出依据本发明的一些实施例的第一子电极的上视图。

图2C及图2C’示出依据本发明的一些实施例的第一子电极的上视图。

图2D及图2D’示出依据本发明的一些实施例的第一子电极的上视图。

图2E及图2E’示出依据本发明的一些实施例的第一子电极的上视图。

图2F及图2F’示出依据本发明的一些实施例的第一子电极的上视图。

图3A到图3C示出依据本发明的一些实施例的第二子电极的上视图。