[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板的制备方法包括在栅极电极层上形成Cu金属薄膜层之后，在黄光制程和刻蚀制程之前，在Cu金属薄膜层上方沉积上一层C膜的步骤；

所述薄膜晶体管阵列基板的制备方法包括：

在玻璃基板上沉积形成栅极电极层，所述栅极电极层上方沉积形成Cu膜；

在所述Cu膜之上沉积一层C膜，作为Cu膜保护层；

所述薄膜晶体管阵列基板的制备方法还包括：

对C膜进行处理，形成铜碳复合膜层；

对所述铜碳复合膜层进行等离子处理，以去除铜碳复合膜层中Cu膜之上的C膜；

沉积形成栅极绝缘层；

依次进行半导体层、源漏电极层、钝化层、像素电极层的制作。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，对C膜进行处理，以制作铜碳复合膜层，包括：

制作完成光刻胶图案；

对玻璃基板上的C膜进行等离子处理，使得没有光刻胶保护的C膜生成气体化合物；

进行Cu膜湿法刻蚀及光刻胶去除工艺，形成铜碳复合膜层。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，对所述铜碳复合膜层进行等离子处理，以去除铜碳复合膜层中Cu膜之上的C膜的步骤，包括：

对所述铜碳复合膜层进行H₂等离子处理，使得铜碳复合膜层中Cu膜上方C膜与H+生成气化C-H化合物，以去除铜碳复合膜层中Cu膜之上的C膜。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，对所述铜碳复合膜层进行等离子处理，以去除铜碳复合膜层中Cu膜之上的C膜的步骤，包括：

对所述铜碳复合膜层进行N₂等离子处理，使得铜碳复合膜层中Cu膜上方C膜与N+生成气化N-C化合物，以去除铜碳复合膜层中Cu膜之上的C膜。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，对所述铜碳复合膜层进行等离子处理，以去除铜碳复合膜层中Cu膜之上的C膜的步骤，包括：

对所述铜碳复合膜层进行O₂等离子处理，使得铜碳复合膜层中Cu膜上方C膜与O+生成气化O-C化合物，以去除铜碳复合膜层中Cu膜之上的C膜。

6.根据权利要求3至5中任意一项所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，沉积形成栅极绝缘层的步骤，包括：

在去除铜碳复合膜层中Cu膜之上的C膜，将Cu膜暴露出来之后，再进行栅极绝缘层沉积。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，在玻璃基板上沉积形成栅极电极层，所述栅极电极层上方沉积形成Cu膜的步骤，包括：

在玻璃基板上沉积MoCu复合膜层，其中，Mo膜在Cu膜之下，Mo膜作为栅极电极层，Cu膜为导电功能层。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，所述栅极电极层材料为MoTi、MoNb、Ti、Ta或W。

9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，在玻璃基板上沉积MoCu复合膜层的步骤，包括：

用物理气相沉积PVD溅射工艺在玻璃基板上沉积MoCu复合膜层。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述Cu膜之上沉积一层C膜，作为Cu膜保护层的步骤，包括：

用溅射工艺在所述Cu膜之上沉积一层C膜，作为Cu膜保护层，所述C膜厚度50Å~200Å。

11.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，Mo膜厚度为100-500埃。