[发明专利]一种三维存储器件及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器件的制备方法，其特征在于，所述三维存储器件具有沟道通孔，所述方法包括以下步骤：

在所述沟道通孔的侧壁以及底部形成功能层；

所述形成功能层的步骤具体包括：在所述沟道通孔的侧壁以及底部形成阻挡层；在所述阻挡层上形成存储层；在所述存储层上形成隧穿层；

去除覆盖在所述沟道通孔的底部的所述功能层，以使所述功能层形成为以下结构：

所述功能层的底端内壁沿所述沟道通孔径向向外的方向凹陷，使得所述功能层的内壁在底端形成有台阶；所述台阶位于所述隧穿层的底端内壁；所述存储层的底端沿所述沟道通孔径向向内的方向弯折；所述阻挡层的底端沿所述沟道通孔径向向内的方向弯折。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述沟道通孔的轴向方向上，所述功能层在所述底端以上的部分厚度均匀。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述功能层之前，所述方法还包括：在所述沟道通孔的底部形成外延层；所述功能层形成于所述沟道通孔中的所述外延层上。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟道通孔的孔径从顶部到底部逐渐减小。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隧穿层的材料为二氧化硅。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除覆盖在所述沟道通孔的底部的所述功能层的步骤包括：

在所述功能层上形成牺牲层，

形成贯穿所述牺牲层底部以及所述功能层底部的开口；

对所述功能层的底端进行横向刻蚀，以使所述功能层形成为所述结构。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度沿所述沟道通孔的轴向方向从顶部到底部逐渐减小。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述形成牺牲层的步骤具体包括：

在炉管中采用化学气相沉积工艺，直接在所述功能层的表面上沉积形成所述牺牲层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在炉管中采用化学气相沉积工艺沉积形成所述牺牲层的工艺温度为1000℃以上。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：去除所述牺牲层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，具体采用湿法刻蚀工艺去除所述牺牲层。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在去除所述牺牲层后，所述方法还包括：形成沟道层，所述沟道层与所述隧穿层的侧壁相接触。

13.一种三维存储器件的制备方法，其特征在于，所述三维存储器件具有沟道通孔，所述方法包括以下步骤：

在所述沟道通孔的侧壁以及底部形成功能层；

在所述功能层上形成牺牲层；

形成贯穿所述牺牲层底部以及所述功能层底部的开口；

对所述功能层的底端进行横向刻蚀，进一步去除所述功能层的所述底部，以使所述功能层形成为以下结构：

所述功能层的内壁为：在所述沟道通孔的轴向方向上呈平坦状的表面。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在所述沟道通孔的轴向方向上，所述功能层整体厚度均匀。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在形成所述功能层之前，所述方法还包括：在所述沟道通孔的底部形成外延层；所述功能层形成于所述沟道通孔中的所述外延层上。

16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述沟道通孔的孔径从顶部到底部逐渐减小。