[发明专利]芯片脱膜方法及装置在审
申请号: | 201811261169.7 | 申请日: | 2018-10-26 |
公开(公告)号: | CN109461681A | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 柳燕华;黄浈;张超 | 申请(专利权)人: | 江苏长电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/56 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 苏婷婷 |
地址: | 214430 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片脱膜 支撑膜 第一区域 顶针组件 第二区域 芯片 底座 驱动组件 驱动 脱离 辅助芯片 连接芯片 等高 环绕 | ||
1.一种芯片脱膜装置,用于辅助芯片脱离与其连接的支撑膜,所述支撑膜包括对应芯片的第一区域及环绕所述第一区域的第二区域;其特征在于,所述芯片脱膜装置包括底座、驱动组件及至少一顶针组件,所述顶针组件包括远离所述底座的驱动部,当所述芯片脱膜装置处于初始状态时,所述第一区域与所述第二区域等高;当所述芯片脱膜装置处于工作过程中时,所述驱动组件驱动所述顶针组件运动而使得所述驱动部作用所述第一区域相对所述第二区域朝远离所述底座的一侧运动,所述芯片逐渐脱离所述支撑膜。
2.根据权利要求1所述的芯片脱膜装置,其特征在于,所述芯片脱膜装置包括对称设置的两个顶针组件,两个顶针组件远离驱动部的一侧枢轴连接所述底座,所述驱动组件包括第一驱动组件,当所述芯片脱膜装置处于初始状态时,两个驱动部位于所述第一区域的边缘或位于所述第二区域,且两个顶针组件之间的夹角为第一角度;当所述芯片脱膜装置处于工作过程中时,所述第一驱动组件驱动两个顶针组件相互靠近而使得所述第一角度逐渐减小,且所述驱动部由所述第一区域的边缘朝向中间运动。
3.根据权利要求2所述的芯片脱膜装置,其特征在于,两个顶针组件相对第一轴线呈对称分布,所述驱动组件还包括第二驱动组件,所述第二驱动组件用于驱动两个顶针组件环绕所述第一轴线转动。
4.根据权利要求3所述的芯片脱膜装置,其特征在于,所述第一驱动组件设置于所述底座且连接所述顶针组件,所述第二驱动组件作用所述底座而带动所述第一驱动组件及所述顶针组件同步运动。
5.根据权利要求3所述的芯片脱膜装置,其特征在于,所述第一驱动组件包括第一电机,所述第二驱动组件包括第二电机,所述第一电机与所述第二电机驱动所述第一驱动组件及所述第二驱动组件同步工作。
6.根据权利要求1至5任一项所述的芯片脱膜装置,其特征在于,所述驱动部与所述支撑膜相接的部分设置为圆弧形。
7.根据权利要求1至5任一项所述的芯片脱膜装置,其特征在于,所述顶针组件包括:枢轴连接所述底座的顶针,以及活动连接于所述顶针并形成所述驱动部的滚珠。
8.根据权利要求7所述的芯片脱膜装置,其特征在于,所述顶针组件还包括:位于所述顶针和所述滚珠之间的连接块;
所述连接块自所述顶针至所述滚珠之间形成一容置通道,其内设置有连接所述顶针和所述滚珠的弹性件。
9.一种芯片脱膜方法,用于辅助芯片脱离与其连接的支撑膜,所述支撑膜包括对应芯片的第一区域及环绕所述第一区域的第二区域,其特征在于,所述方法包括:
驱动顶针组件的驱动部抵持于第一区域,所述第一区域与所述第二区域等高;
驱动顶针组件运动而使得所述驱动部作用所述第一区域相对所述第二区域运动,而使得第一区域和第二区域之间形成高度差,所述芯片逐渐脱离所述支撑膜。
10.根据权利要求9所述的芯片脱膜方法,其特征在于,所述顶针组件包括相对第一轴线对称分布的两个顶针组件,步骤“驱动顶针组件运动而使得所述驱动部作用所述第一区域相对所述第二区域运动”具体包括:
驱动两个顶针组件抵持于所述第一区域相对的边缘;
驱动两个顶针组件相互靠近运动而同时由第一区域的边缘向中间运动,同时驱动两个顶针组件环绕所述第一轴线运动。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏长电科技股份有限公司,未经江苏长电科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811261169.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种二极管封装用加压冷却设备
- 下一篇:一种湿法氧化装置及其应用方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造