[发明专利]一种低压差线性电压调节器有效
申请号: | 201811261557.5 | 申请日: | 2018-10-26 |
公开(公告)号: | CN109062309B | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 姜汉钧;高绍全;王志华;张春 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 段俊涛 |
地址: | 100084 北京市海淀区1*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 线性电压调节器 误差放大器 输出电压 低压差 反馈电阻网络 参考电压 缓冲器 单端输出放大器 共源共栅结构 发射极电压 补偿电路 电路参数 电压调节 输出负载 瞬态响应 栅源电压 晶体管 三极管 输入管 下冲 自带 叠加 放大 输出 配置 | ||
1.一种低压差线性电压调节器,包括误差放大器,误差放大器的输出通过缓冲器接电压调节晶体管,其特征在于,所述误差放大器为共源共栅结构的差分输入单端输出放大器,以误差放大器输入管栅源电压的差值ΔVGS作为低压差线性电压调节器的参考电压,ΔVGS加到反馈电阻网络上,经过反馈电阻网络的放大后与三极管的基极-发射极电压叠加在一起,组成低压差线性电压调节器的输出电压,其中所述误差放大器输入管栅源电压的差值ΔVGS表示为
ΔVGS≈α·ΔVGS_ST+β·ΔVGS_SI
其中,α和β是无法用数学表达式精确表达的系数,通过晶体管级的仿真进行确定;ΔVGS_ST表示与温度成正比的部分,ΔVGS_SI为常数部分;n是一个与工艺有关的参数,k是玻尔兹曼常数,T是绝对温度,q是电子电量,M是误差放大器输入管沟道宽度W1和W2之比,误差放大器输入管具有相同的沟道长度L和相同的源漏电流;VT、μn、Cox和IS分别为晶体管的阈值电压、沟道迁移率、单位面积的栅电容和误差放大器的偏置电流,IS恒定。
2.根据权利要求1所述低压差线性电压调节器,其特征在于,所述误差放大器的输入管偏置在近阈值电压区,即亚阈值区和强反型区之间。
3.根据权利要求1所述低压差线性电压调节器,其特征在于,所述反馈电阻网络由电阻R1、R2和R3串联构成,R1和R3为固定电阻,R2为可调电阻,反馈电阻网络把低压差线性电压调节器的输出电压以R2/(R1+R2+R3)为反馈系数反馈到误差放大器的输入端。
4.根据权利要求1所述低压差线性电压调节器,其特征在于,还包括下冲补偿电路,所述下冲补偿电路是由采样电容Cb和金属氧化物半导体(MOS)晶体管组成的高通支路,其带宽远大于误差放大器的带宽;当LDO的输出负载变化引起输出电压的下冲时,下冲补偿电路为误差放大器提供额外的偏置电流,从而增大误差放大器的带宽,使LDO的输出电压能够快速稳定,下冲补偿电路降低了稳定工作时误差放大器的偏置电流,同时降低了LDO的输出稳态建立时间。
5.根据权利要求1所述低压差线性电压调节器,其特征在于,还包括片上去耦电容,所述片上去耦电容接在LDO输出电压与GND之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811261557.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电压调整电路
- 下一篇:一种带高阶曲率补偿的低功耗带隙基准电路