[发明专利]一种过压保护芯片的版图结构在审
| 申请号： | 201811261572.X | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109712972A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 顾怡峰;杨雪;连颖;田浩;吴国臣 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安电子线路保护有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 衣然 |
| 地址： | 201202 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 版图区域 过压保护芯片 版图结构 模拟电路模块 数字电路模块 电路板 电路功能 合理布局 使用寿命 温度分布 芯片版图 芯片功耗 版图区 有效地 内阻 匹配 | ||
1.一种过压保护芯片的版图结构，其特征在于，包括第一版图区域,第二版图区域，第三版图区域，第四版图区域，第五版图区域，第六版图区域，所述第一版图区域位于版图的下半部分，所述第二版图区域位于版图的左侧中间部分，所述第三版图区域位于版图的中间部分，所述第四版图区域位于版图的右上部分，所述第五版图区域位于版图的上方中间部分，所述第六版图区域位于版图的左上部分。
2.根据权利要求1所述的过压保护芯片的版图结构，其特征在于，所述第一版图区域为POWERMOS版图区，用于产生输出信号。
3.根据权利要求1所述的过压保护芯片的版图结构，其特征在于，所述第二版图区域为电荷泵版图区，用于产生N型POWERMOS管的控制电压，对该模块版图采用隔离噪声的措施。
4.根据权利要求1所述的过压保护芯片的版图结构，其特征在于，所述第三版图区域为高低压转换接口电路版图区，采用P型阱环隔离同时避免高压金属线在场区产生的反型区。
5.根据权利要求1所述的过压保护芯片的版图结构，其特征在于，所述第四版图区域为基准电路版图区，用于产生其他模块需要的偏置电压电流信号。
6.根据权利要求1所述的过压保护芯片的版图结构，其特征在于，所述第五版图区域为使能，修调电路版图区，用于产生使能信号，以及放置修调电阻。
7.根据权利要求1所述的过压保护芯片的版图结构，其特征在于，所述第六版图区域为OVLO电路版图区，用于判断OVLO电压是否超过设定电压。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
