[发明专利]一种流控松弛振荡器在审

专利信息
申请号: 201811261813.0 申请日: 2018-10-26
公开(公告)号: CN109104155A 公开(公告)日: 2018-12-28
发明(设计)人: 刘华;周晓亚 申请(专利权)人: 上海海栎创微电子有限公司
主分类号: H03B5/12 分类号: H03B5/12
代理公司: 上海启核知识产权代理有限公司 31339 代理人: 王仙子
地址: 201203 上海市浦东新区丹桂*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 延时单元 振荡器 流控 松弛 参考电流源 整形电路 输出 集成电路技术 超低功耗 电源电压 偏置电压 输出频率 输入连接 阈值基准 源器件 整形 偏置 电路
【权利要求书】:

1.一种流控松弛振荡器,其特征在于:包括参考电流源、延时单元和整形电路;所述参考电流源为阈值基准电路提供偏置电压VBP和VBN,所述参考电流源的VBP和VBN与所述延时单元相连接;所述延时单元的输入与流控松弛振荡器的输出VOUT连接,其输出与整形电路的输入连接;所述整形电路的输出作为流控松弛振荡器的输出VOUT,所述整形电路对所述延时单元输出的信号进行整形。

2.根据权利要求1所述的流控松弛振荡器,其特征在于,所述参考电流源通过阈值基准电路产生电流大小为Vgs/R,所述阈值基准电路为所述延时单元提供偏置,Vgs为栅源电压,R为阈值基准电路产生参考电流所需电阻的阻值。

3.根据权利要求1所述的流控松弛振荡器,其特征在于,所述参考电流源的PMOS晶体管M1的源极接电源,其栅极与PMOS晶体管M2的栅极和漏极连接以提供偏置电压VBP;

所述M2的源极接电源,M1的漏极与NMOS晶体管M3的栅极和NMOS晶体管M4的漏极连接;

所述M3的漏极与M1和M2的栅极以及M2的漏极连接,其源极与M4的栅极和电阻R1的一端连接以提供偏置电压VBN;

所述电阻R1的另一端接地,所述M4的源极接地。

4.根据权利要求1所述的流控松弛振荡器,其特征在于,所述延时单元包括PMOS晶体管MP1、MP2、MP3、MP4、MP5和MP6;NMOS晶体管MN1、MN2、MN3、MN4和MN5;以及电容C1。

5.根据权利要求4所述的流控松弛振荡器,其特征在于,所述MP1的源极接电源,其栅极接VBP,其漏极与所述MP5的源极连接;

所述MP2的源极接电源,其栅极接VBP,其漏极与所述MP6的源极连接;

所述MP3的源极接电源,其栅极与所述MP6和MN2的漏极连接,其漏极与所述MN3和MN4的漏极以及MN5的栅极连接;

所述MP4的源极接电源,其栅极接VBP,其漏极与所述MN5的漏极连接作为延时单元的输出;

所述MP5的栅极与MN1的栅极和流控松弛振荡器的输出VOUT连接,其漏极与MN1的漏极、MN2和MP6的栅极以及电容C1的正端连接;

所述MP6的栅极与MN2的栅极连接,其漏极与MN2的漏极连接。

6.根据权利要求4所述的流控松弛振荡器,其特征在于,所述MN1的栅极与MP5的栅极以及流控松弛振荡器的输出VOUT连接,其源极接地;

所述MN2的栅极与MN1的漏极和电容C1的正端连接,其源极接地;

所述MN3的栅极接VBN,其源极接地;

所述MN4的栅极与MN1的栅极和流控松弛振荡器的输出VOUT连接,其源极接地;

所述MN5的栅极与MN3和MN4的漏极连接,其源极接地。

7.根据权利要求4所述的流控松弛振荡器,其特征在于,所述C1的正端与MN1的漏极以及MP6的栅极连接,其负端接地。

8.根据权利要求4所述的流控松弛振荡器,其特征在于,所述MP2、MP6和MN2构成流控松弛振荡器的比较器。

9.根据权利要求8所述的流控松弛振荡器,其特征在于,参考电流源结合延时单元,以大小为Vgs/R的k倍电流对电容C1充电,当充电电压到达所述比较器的阈值时,输出将由高到低翻转,此时输出延时为(C1*Vgs)/(k*Vgs/R)=R*C1/k,其中k为电流镜像系数,所述比较器的阈值是比较器翻转时的电压,当流过MP2的电流为Vgs/R时其值为Vgs。

10.根据权利要求1所述的流控松弛振荡器,其特征在于,所述整形电路包括反相器,并对输入信号进行整形,其输入端与所述延时单元的输出连接,输出作为流控振荡器的输出VOUT。

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