[发明专利]兼容单/多晶黑硅的湿法背抛光装置及湿法背抛光方法

权利要求书

1.兼容单/多晶黑硅的湿法背抛光装置，其特征在于，包括载片花篮本体(1)，所述载片花篮本体(1)的相对内壁上一一对应式设置有若干卡板单元(2)，每一所述卡板单元(2)包括第一卡板(3)、第二卡板(4)和第三卡板(5)，所述第一卡板(3)和第二卡板(4)之间的间距与所述第二卡板(4)和第三卡板(5)之间的间距相同且均为2～3mm，相邻所述卡板单元(2)之间的间距大于所述第一卡板(3)和第二卡板(4)之间的间距且为所述第一卡板(3)和第二卡板(4)之间的间距的3～4倍。

2.采用权利要求1所述的兼容单/多晶黑硅的湿法背抛光装置的湿法背抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，将硅片装入第一卡板(3)和第二卡板(4)之间以及所述第二卡板(4)和第三卡板(5)之间；

S2，在80-85℃，用氢氧化钾、双氧水及非离子型表面活性剂的体系里进行表面粗制绒；

S3，用金属盐、氢氟酸和双氧水的混合液在经表面粗制绒的硅片表面沉积金属；

S4，用多重浓度硝酸溶液对S3的表面沉积金属的硅片进行不完全脱银处理；

S5，用10-20℃的氢氟酸和硝酸的混合溶液对S3的不完全脱银处理后的硅片表面进行结构修饰；

S6，用氨水和双氧水混合液清洗S5的表面结构修饰后的硅片；

S7，用氢氟酸和盐酸的混合溶液清洗S6的清洗后的硅片，并吹干即可制得背抛光黑硅。

3.根据权利要求2所述的兼容单/多晶黑硅的湿法背抛光方法，其特征在于：所述硅片包括单晶硅片或多晶硅片。

4.根据权利要求2所述的兼容单/多晶黑硅的湿法背抛光方法，其特征在于：S2中，将硅片浸入25-35wt％的双氧水与15-25wt％的氢氧化钾混合溶液，所述混合液中H₂O₂：KOH：纯水的体积配比为(1～10)：(2～10)：(1～10)，表面粗制绒的反应温度为80-85℃，反应时间为240-400s。

5.根据权利要求2所述的兼容单/多晶黑硅的湿法背抛光方法，其特征在于：S3中，所述氢氟酸的浓度为0.1～5wt％，金属盐的浓度为0.01～0.1wt％，反应温度为5～40℃，反应时间为30～180s。

6.根据权利要求2或5所述的兼容单/多晶黑硅的湿法背抛光方法，其特征在于：所述金属盐为AgNO₃、Cu(NO₃)₂、HAuCl₄、H₂PtCl₆·6H₂O中的一种或多种混合。

7.根据权利要求2所述的兼容单/多晶黑硅的湿法背抛光方法，其特征在于：S4中，将硅片浸入到硝酸溶液中，硝酸溶液按由高到低的浓度分配在3-5个槽体内，所述硝酸溶液浓度为1～10wt％，反应温度为25～50℃，反应时间为60～240s，进行不完全脱银。

8.根据权利要求2所述的兼容单/多晶黑硅的湿法背抛光方法，其特征在于：S5中，将硅片浸入45-55wt％氢氟酸和65-75wt％硝酸的混合溶液，混合溶液中HF：HNO₃：纯水的体积配比为(1～4)：(2～5)：(5～20)，反应温度为10-20℃，反应时间为30～300s。

9.根据权利要求2所述的兼容单/多晶黑硅的湿法背抛光方法，其特征在于：S6中，将硅片浸入20-30wt％氨水和25-35wt％双氧水的混合液中，混合液中氨水：双氧水：纯水的体积配比为(2～10)：(4～10)：(1～10)，反应温度为30～60℃，反应时间为60～600s。

10.根据权利要求2所述的兼容单/多晶黑硅的湿法背抛光方法，其特征在于：S7中，用浓度为3-8wt％的氢氟酸和3-8wt％盐酸等体积混合液清洗上述硅片并用氮气吹干。