[发明专利]一种基于超薄低功函数金属的高透明度自封装顶发射电极及其制备方法在审
| 申请号： | 201811265572.7 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109473565A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 段羽;丁韬;刘云飞;普热梅斯拉夫·德塔;陈平 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 刘世纯;王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低功函数金属 电极 制备 顶发射 致密 高透明度 传输层 封装层 封装 发光器件表面 三层叠层结构 透明导电薄膜 超薄金属 叠层结构 封装性能 化学特性 技术生长 透明电极 第三层 第一层 透过率 透明的 无损伤 平滑 沉积 基底 蒸镀 透明 应用 成功 | ||
1.一种基于超薄低功函数金属的高透明度自封装顶发射电极的制备方法，其步骤如下:
A.清洁透明基底，烘干；
B.在步骤A得到的基底或OLED器件的有机功能层上制备传输层，传输层材料为金属氧化物，其厚度在0.5-10nm范围内；
C.在步骤B得到的传输层上制备超薄低功函数金属层，金属层材料为具有较低功函数的碱土金属，或者是其中几种碱土金属混合形成的合金，金属层的厚度在5-40nm范围内；
D.在步骤C得到的超薄低功函数金属层上制备自封装层，自封装层材料为金属氧化物，其厚度在0.5-30nm范围内；从而得到基于超薄低功函数金属的高透明度自封装顶发射电极。
2.如权利要求1所述的一种基于超薄低功函数金属的高透明度自封装顶发射电极的制备方法，其特征在于：传输层材料为Zn0、Ti02、W03、AL2O3中的一种。
3.如权利要求1所述的一种基于超薄低功函数金属的高透明度自封装顶发射电极的制备方法，其特征在于：选用原子层沉积技术沉积传输层。
4.如权利要求1所述的一种基于超薄低功函数金属的高透明度自封装顶发射电极的制备方法，其特征在于：碱土金属为锂、钙、钾、铷或铯。
5.如权利要求1所述的一种基于超薄低功函数金属的高透明度自封装顶发射电极的制备方法，其特征在于：选用真空蒸镀技术沉积超薄低功函数金属层。
6.如权利要求1所述的一种基于超薄低功函数金属的高透明度自封装顶发射电极的制备方法，其特征在于：自封装层材料为Zn0、Ti02、W03、AL2O3中的一种。
7.如权利要求1所述的一种基于超薄低功函数金属的高透明度自封装顶发射电极的制备方法，其特征在于：选用原子层沉积技术沉积自封装层。
8.如权利要求1所述的一种基于超薄低功函数金属的高透明度自封装顶发射电极的制备方法，其特征在于：透明基底为玻璃、石英、蓝宝石、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种，其表面起伏低于超薄低功函数金属层的厚度。
9.一种基于超薄低功函数金属的高透明度自封装顶发射电极，其特征在于：是由权利要求1～8任何一项所述方法制备得到。
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