[发明专利]提高晶硅太阳电池的背铝栅线和激光开槽对准精度的方法

权利要求书

1.一种提高多晶硅太阳电池的背铝栅线和激光开槽对准精度的方法，其特征在于：所述多晶硅太阳电池包括多晶硅片，所述多晶硅片的背面设有激光标记点，所述激光标记点贯穿所述多晶硅片上的背面钝化膜，从而呈现出硅材料的颜色；通过改变所述多晶硅太阳电池的背面钝化膜的厚度和/或折射率，使所述背面钝化膜的颜色与所述激光标记点处的颜色不同；其中，所述背面钝化膜包括相互层叠的氧化铝层和氮化硅层，所述氧化铝层形成在所述多晶硅片的背面上，所述氮化硅层形成在所述氧化铝层的外表面上，所述氮化硅层的厚度为73~100纳米，折射率为1.9~2.1，使得所述背面钝化膜呈现为蓝色。