[发明专利]带有金属光阑的环烯烃共聚物微透镜阵列及其制备方法

权利要求书

1.一种带有金属光阑的环烯烃共聚物微透镜阵列的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S101、采用光刻法利用第一光刻掩膜版在硅片基底上形成第一光刻胶掩膜；

S102、采用刻蚀法在所述硅片基底上刻蚀出硅片微孔阵列；

S103、在所述硅片微孔阵列上铺设环烯烃共聚物层，进行热压处理，冷却，将硅片微孔阵列和环烯烃共聚物层分离，得到第一环烯烃共聚物阵列；

S104、利用第二光刻掩膜版在所述第一环烯烃共聚物阵列的结构面上形成第二光刻胶掩膜，并得到第二环烯烃共聚物阵列，所述第二光刻掩膜版和所述第一光刻掩膜版互为反相掩膜版；

S105、在所述第二环烯烃共聚物阵列的结构面蒸镀金属，得到第三环烯烃共聚物阵列；

S106、将所述第三环烯烃共聚物阵列放入丙酮液中，溶解去除第二光刻胶掩膜，得带有金属光阑的环烯烃共聚物微透镜阵列。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S102还包括：将硅片微孔阵列做表面钝化处理。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S103包括：取环烯烃共聚物和由所述硅片微孔阵列放入热压机，将环烯烃共聚物和所述硅片微孔阵列的外环放置一个厚度与环烯烃共聚物和所述硅片微孔阵列的总厚度相等的同心金属限位环，调节到合适的温度和压强，得到第一环烯烃共聚物阵列。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤S105中，所述金属为铬或铝。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤S103中，热压处理的温度为135℃-145℃，压强范围25KPa-50kPa。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S104包括：采用套刻法利用第二光刻掩膜版在所述第一环烯烃共聚物阵列的结构面上形成第二光刻胶掩膜。