[发明专利]一种空间限制的二维杂化钙钛矿晶体生长方法在审

专利信息
申请号: 201811266456.7 申请日: 2018-10-29
公开(公告)号: CN109355708A 公开(公告)日: 2019-02-19
发明(设计)人: 王迪;张海欣;栢宇;张明静;吴国政;薛豪 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: C30B29/64 分类号: C30B29/64;C30B7/02;C30B29/12;C30B29/54
代理公司: 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 代理人: 赵凤英
地址: 300384 *** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 钙钛矿晶体 二维 杂化 生长 油酸 晶体生长溶液 表面修饰剂 空间限制 晶体生长区域 气相沉积法 衬底表面 传统溶液 二维平面 方法使用 晶体表面 生长溶液 工艺流程 垂直面 衬底 灌充 吸附
【权利要求书】:

1.一种空间限制的二维杂化钙钛矿晶体生长方法,其特征为该方法包括如下步骤:

1)将PbX2 和 CH3NH3X (X=Cl、Br、I)加入到极性有机溶液中,搅拌溶解,得到钙钛矿晶体的饱和溶液;其中,摩尔比PbX2 和 CH3NH3X =1:0.8~1.2;

2)将衬底和盖片分别进行化学和物理清洗;其中,材质均为晶体或玻璃;

3)使用超声雾化方法或微量移液器提取步骤1)中所述溶液,置于步骤2)所述衬底表面,然后覆盖上盖片,二者固定后放入匀浆机中匀浆10~30秒;其中,每100平方毫米衬底加入50~200微升钙钛矿晶体溶液;匀浆机的转速为1000~3000转/min;

4)将步骤3)所述生长装置置于惰性气体环境中烘烤8~10小时后,既可获得到所述大尺寸超薄二维钙钛矿晶体即CH3NH3PbX3(其中X=Cl、Br、I);

其中,所述的大尺寸超薄二维钙钛矿晶体的横向尺寸为10~500微米,厚度4~400 nm。

2.如权利要求1所述的空间限制的二维杂化钙钛矿晶体生长方法,其特征为所述的步骤1)中钙钛矿晶体的饱和溶液中还加入表面修饰剂,其中,表面修饰剂为油酸或油酸氨,所述的表面修饰剂的加入量为溶液体积比的5%~45%。

3.如权利要求1所述的空间限制的二维杂化钙钛矿晶体生长方法,其特征为所述的步骤1)中的极性溶剂为N,N-二甲基甲酰胺、乙醇、甲醇和二甲基亚砜中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的空间限制的二维杂化钙钛矿晶体生长方法,其特征为所述的步骤2)中的物理清洗和化学清洗,包括如下步骤:首先分别经过丙酮、乙醇和去离子水超声清洗10分钟,再利用浓硫酸与过氧化氢体积比为(3-5):1的混合溶液在160℃下清洗30分钟,再经过去离子水超声清洗5分钟。

5.如权利要求1所述的空间限制的二维杂化钙钛矿晶体生长方法,其特征为所述的步骤2)中的衬底或盖片具体为硅-二氧化硅基片、石英基片、三氧化二铝基片、云母晶体、ITO玻璃或PET。

6.如权利要求1所述的空间限制的二维杂化钙钛矿晶体生长方法,其特征为所述的步骤4)中所述的生长装置为气氛炉、手套箱中的热板或管式炉。

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