[发明专利]混合型多芯片组件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811266561.0 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109461716A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 史光华;徐达;常青松;王健;周彪;李仕俊;白锐;郭旭光;杨阳阳;王真 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 赵宝琴 |
| 地址： | 050051 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 液晶聚合物层 多芯片组件 电路互连 薄膜电路 电路区 互连层 种子层 基板 制备 微电子技术领域 基板上表面 高频性能 上表面 侧壁 底面 贯穿 | ||
1.一种混合型多芯片组件，其特征在于，包括：
基板；
所述基板上表面设有液晶聚合物层；
所述液晶聚合物层中设有电路互连孔，所述电路互连孔贯穿所述液晶聚合物层；
所述液晶聚合物层的电路区的上表面和所述电路互连孔中设有薄膜电路。
2.如权利要求1所述的混合型多芯片组件，其特征在于，所述薄膜电路包括：种子层，设置在所述液晶聚合物层的电路区的上表面和所述电路互连孔的底面和侧壁上；金属层，设置在所述种子层的上表面。
3.如权利要求2所述的混合型多芯片组件，其特征在于，所述种子层包括Ti层和所述Ti层上表面的Cu层。
4.如权利要求1所述的混合型多芯片组件，其特征在于，所述液晶聚合物层的厚度为20微米至125微米。
5.如权利要求1至4任一项所述的混合型多芯片组件，其特征在于，所述基板为低温共烧陶瓷基板。
6.一种制备如权利要求1至5任一项所述的混合型多芯片组件的制备方法，其特征在于，包括：
在基板上表面制备液晶聚合物层；
在所述液晶聚合物层中制备电路互连孔，所述电路互连孔贯穿所述液晶聚合物层；
在所述液晶聚合物层的电路区的上表面和所述电路互连孔中制备薄膜电路。
7.如权利要求6所述的混合型多芯片组件的制备方法，其特征在于，所述在所述液晶聚合物层的电路区的上表面和所述电路互连孔中制备薄膜电路，包括：
在所述液晶聚合物层的上表面和所述电路互连孔的底面和侧壁上沉积种子层；
在所述种子层与所述电路区对应区域的上表面和所述电路互连孔中沉积金属层；
去除剩余的种子层。
8.如权利要求7所述的混合型多芯片组件的制备方法，其特征在于，所述在所述种子层与所述电路区对应区域的上表面和所述电路互连孔中沉积金属层，包括：
在所述种子层的上表面涂覆光阻层；
去除所述光阻层中与电路区对应的区域和与所述电路互连孔对应的区域，光刻出图形窗口；
在所述图形窗口中沉积金属层；
去除剩余的光阻层。
9.如权利要求6所述的混合型多芯片组件的制备方法，其特征在于，所述在基板上表面制备液晶聚合物层，包括：
在基板上表面热压液晶聚合物层；
其中，0至20分钟内，热压温度由30摄氏度升高至150摄氏度，20分钟至30分钟内，热压温度维持在150摄氏度，30分钟至50分钟内，热压温度由150摄氏度升高至300摄氏度，50分钟至80分钟内，热压温度维持在300摄氏度，80分钟至105分钟内，热压温度下降至40摄氏度；
0至25分钟内，热压压力维持在0.5兆帕，25分钟至30分钟内，热压压力由0.5兆帕升高至4兆帕，30分钟至105分钟内，热压压力维持在1兆帕。
10.如权利要求6至9任一项所述的混合型多芯片组件的制备方法，其特征在于，通过激光开孔或机械开孔制备所述电路互连孔。
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