[发明专利]二硒化钯薄膜/n-型硅异质结光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.二硒化钯薄膜/n-型硅异质结光电探测器，其特征在于：以n-型硅基底(2)作为所述光电探测器的基区，在所述n-型硅基底(2)的下表面设置n-型硅基底电极(1)；在所述n-型硅基底(2)的上表面覆盖绝缘层(3)，所述绝缘层(3)的面积为所述n-型硅基底(2)面积的1/5到4/5，所述绝缘层(3)的边界不超出所述n-型硅基底(2)的边界；在所述绝缘层(3)上覆盖二硒化钯接触电极(4)，所述二硒化钯接触电极(4)的边界不超出所述绝缘层(3)的边界；在所述二硒化钯接触电极(4)上铺设二硒化钯薄膜(5)，所述二硒化钯薄膜(5)一部分与二硒化钯接触电极(4)接触，剩余部分与n-型硅基底(2)上表面未覆盖绝缘层(3)的部分接触，所述二硒化钯薄膜(5)的边界不超出所述n-型硅基底(2)的边界；所述二硒化钯薄膜(5)与二硒化钯接触电极(4)为欧姆接触，所述二硒化钯薄膜(5)与n-型硅基底(2)形成异质结。

2.根据权利要求1所述的二硒化钯薄膜/n-型硅异质结光电探测器，其特征在于：所述绝缘层(3)以二氧化硅、氮化硅、氧化铝或者氧化铪为材料，所述绝缘层(3)的厚度为30-300nm。

3.根据权利要求1所述的二硒化钯薄膜/n-型硅异质结光电探测器，其特征在于：所述n-型硅基底电极(1)为In-Ga合金电极或者Ag电极，所述n-型硅基底电极(1)的厚度为30-500nm。

4.根据权利要求1所述的二硒化钯薄膜/n-型硅异质结光电探测器，其特征在于：所述二硒化钯接触电极(4)为Au电极、Pt电极或Pd电极，所述二硒化钯接触电极(4)的厚度为30-300nm。

5.根据权利要求1所述的二硒化钯薄膜/n-型硅异质结光电探测器，其特征在于：所述n型硅基底(2)采阻率为0.1-100Ω/cm的n-型轻掺杂硅片。

6.根据权利要求1所述的二硒化钯薄膜/n-型硅异质结光电探测器，其特征在于：所述二硒化钯薄膜(5)的厚度为2-40nm。

7.一种权利要求1～6中任意一项所述的二硒化钯薄膜/n-型硅异质结光电探测器的制备方法，其特征在于，按如下步骤进行：

(1)将n-型轻掺杂硅片放在质量浓度为5％-10％的氢氟酸溶液或者BOE刻蚀液中刻蚀5-10分钟，去除n-型轻掺杂硅片表面的自然氧化层，取出后进行清洗并干燥，得到n-型硅基底；

(2)采用磁控溅射镀膜方法在所述n-型硅基底的上表面覆盖面积为所述n-型硅基底面积的1/5到4/5的绝缘层；

(3)采用电子束镀膜方法在所述绝缘层上覆盖二硒化钯接触电极，所述二硒化钯接触电极的边界不超出所述绝缘层的边界；

(4)在所述二硒化钯接触电极上铺设二硒化钯薄膜，所述二硒化钯薄膜一部分与二硒化钯接触电极接触，剩余部分与n-型硅基底上表面未覆盖绝缘层的部分接触，所述二硒化钯薄膜的边界不超出所述n-型硅基底的边界；

(5)采用涂抹或电子束镀膜方法在所述n-型硅基底的下表面设置n-型硅基底电极，即获得二硒化钯薄膜/n-型硅异质结光电探测器。