[发明专利]一种多光束垂直腔面发射激光芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种多光束垂直腔面发射激光芯片，其特征在于，垂直腔面发射激光芯片的出光区域具有第一透明层以及位于所述第一透明层表面的第二透明层；

所述第一透明层具有将所述芯片的出射光分成多束光的衍射光栅；

所述第二透明层具有使所述衍射光出射的多束光进行干涉加强的干涉狭缝。

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述衍射光栅包括多个第一狭缝，所述干涉狭缝包括多个第二狭缝；

所述第二狭缝在所述芯片所在平面上的投影位于相邻的两个所述第一狭缝在所述芯片所在平面上的投影之间；

所述第二狭缝和所述第一狭缝在垂直于所述芯片所在平面方向上的间距等于所述芯片出射光波长的整数倍。

3.根据权利要求1或2所述的芯片，其特征在于，所述芯片包括衬底、依次位于所述衬底第一表面的N型DBR层、MQW层、P型DBR层、缓冲层和第一电极、位于所述衬底第二表面的第二电极；

其中所述第一表面和所述第二表面为所述衬底相对的两个表面，所述出光区域为所述缓冲层未被所述第一电极覆盖的区域。

4.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述狭缝在所述芯片所在平面上的投影的形状与所述出光区域在所述芯片所在平面上的投影的形状对应。

5.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述出光区域在所述芯片所在平面上的投影的形状为圆形，所述狭缝在所述芯片所在平面上的投影为圆环形；

或者，所述出光区域在所述芯片所在平面上的投影的形状为方形，所述狭缝在所述芯片所在平面上的投影为方环形。

6.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述透明层的材料为玻璃。

7.一种多光束垂直腔面发射激光芯片的制作方法，其特征在于，包括：

在垂直腔面发射激光芯片的出光区域形成第一透明层；

对所述第一透明层进行刻蚀，形成将所述芯片的出射光分成多束光的衍射光栅；

在所述衍射光栅的表面形成第二透明层；

对所述第二透明层进行刻蚀，形成使所述衍射光出射的多束光发生干涉加强的干涉狭缝。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在形成所述第二透明层之前，还包括：

在所述衍射光栅的表面形成第三透明层，以使所述第二狭缝和所述第一狭缝在垂直于所述芯片所在平面方向上的间距等于所述芯片出射光波长的整数倍。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述透明层的材料为玻璃。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在形成所述第一透明层之前，还包括：

提供衬底；

在所述衬底的第一表面依次形成N型DBR层、MQW层、P型DBR层、缓冲层和第一电极；

在所述衬底的第二表面形成第二电极；

其中所述第一表面和所述第二表面为所述衬底相对的两个表面，所述出光区域为所述缓冲层未被所述第一电极覆盖的区域。