[发明专利]基于苯四胺的配位聚合物薄膜的闪存存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于苯四胺的配位聚合物薄膜的闪存存储器，其特征在于：包括自下而上依次设置的衬底(1)、基于苯四胺的配位聚合物薄膜(2)、上电极(3)；其中，所述基于苯四胺的配位聚合物薄膜(2)的厚度为300nm。

2.根据权利要求1所述的基于苯四胺的配位聚合物薄膜的闪存存储器，其特征在于：所述衬底(1)的材质为ITO玻璃。

3.根据权利要求1所述的基于苯四胺的配位聚合物薄膜的闪存存储器，其特征在于：所述基于苯四胺的配位聚合物薄膜(2)的材质为配位聚合物钴-苯四胺，其结构式为：

4.根据权利要求1所述的基于苯四胺的配位聚合物薄膜的闪存存储器，其特征在于：所述上电极(3)的材质为铝。

5.根据权利要求1或4所述的基于苯四胺的配位聚合物薄膜的闪存存储器，其特征在于：所述上电极(3)为多个圆点状电极，其厚度为150nm，直径为500μm。

6.根据权利要求1所述的基于苯四胺的配位聚合物薄膜的闪存存储器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一，首先，将衬底清洗，然后用氮气吹干净；

步骤二，将配位聚合物钴-苯四胺制备为厚度为300nm的配位聚合物薄膜，并转移至衬底上，自然环境下干燥；

步骤三，将干燥后的配位聚合物薄膜表面覆盖点状的掩模版，使用无机真空镀膜机蒸镀金属铝作为上电极。

7.根据权利要求6所述的基于苯四胺的配位聚合物薄膜的闪存存储器的制备方法，其特征在于：所述步骤一中，将衬底分别用去离子水、丙酮、乙醇超声清洗20分钟。

8.根据权利要求6所述的基于苯四胺的配位聚合物薄膜的闪存存储器的制备方法，其特征在于：所述步骤二中，采取水热法在溶液表面即空气与水表面得到配位聚合物薄膜。

9.根据权利要求8所述的基于苯四胺的配位聚合物薄膜的闪存存储器的制备方法，其特征在于：所述步骤二具体为：取苯四胺四盐酸盐作为配体，溶于去离子水中，得到溶液A，取四水合乙酸钴，溶于去离子水中，得到溶液B，将溶液A与溶液B分别在室温下超声，等其完全溶解后，将溶液A倒入反应容器，随后加入三乙胺，搅拌；将溶液B加入到溶液A中，并搅拌，得到前驱体混合液；将前驱体混合液放入烘箱，设置温度为60℃，反应时间3小时；反应结束后，反应容器底部会有棕黑色物质沉淀，并且在溶液表面，即空气与水的界面处得到一层薄膜，即产物配位聚合物薄膜；其中，通过调控反应物的浓度，得到厚度为300nm的配位聚合物薄膜。

10.根据权利要求9所述的基于苯四胺的配位聚合物薄膜的闪存存储器的制备方法，其特征在于：所述苯四胺四盐酸盐与四水合乙酸钴的质量比为4:1.3，所述前驱体混合液中，苯四胺四盐酸盐的浓度为2mg/mL，四水合乙酸钴的浓度为0.65mg/mL。