[发明专利]基于苯四胺的配位聚合物薄膜的一次写入多次读取存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于苯四胺的配位聚合物薄膜的一次写入多次读取存储器，其特征在于：包括自下而上依次设置的衬底（1）、基于苯四胺的配位聚合物薄膜（2）、上电极（3）；其中，所述基于苯四胺的配位聚合物薄膜（2）的厚度为60 nm；所述基于苯四胺的配位聚合物薄膜（2）的材质为配位聚合物钴-苯四胺，其结构式为：

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2.根据权利要求1所述的基于苯四胺的配位聚合物薄膜的一次写入多次读取存储器，其特征在于：所述衬底（1）的材质为ITO玻璃。

3.根据权利要求1所述的基于苯四胺的配位聚合物薄膜的一次写入多次读取存储器，其特征在于：所述上电极（3）的材质为铝。

4.根据权利要求1或3所述的基于苯四胺的配位聚合物薄膜的一次写入多次读取存储器，其特征在于：所述上电极（3）为多个圆点状电极，其厚度为150 nm，直径为500 μm。

5.根据权利要求1所述的基于苯四胺的配位聚合物薄膜的一次写入多次读取存储器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一，首先，将衬底清洗，然后用氮气吹干净；

步骤二，将配位聚合物钴-苯四胺制备为厚度为60 nm的配位聚合物薄膜，并转移至衬底上，自然环境下干燥；所述步骤二具体为：取苯四胺四盐酸盐作为配体，溶于去离子水中，得到溶液A，取四水合乙酸钴，溶于去离子水中，得到溶液B，将溶液A与溶液B分别在室温下超声，等其完全溶解后，将溶液A倒入反应容器，随后加入三乙胺，搅拌；将溶液B加入到溶液A中，并搅拌，得到前驱体混合液；将前驱体混合液放入烘箱，设置温度为60℃，反应时间3小时；反应结束后，反应容器底部会有棕黑色物质沉淀，并且在溶液表面，即空气与水的界面处得到一层薄膜，即产物配位聚合物薄膜；其中，通过调控反应物的浓度，得到厚度为60 nm得到配位聚合物薄膜；

步骤三，将干燥后的配位聚合物薄膜表面覆盖点状的掩模版，使用无机真空镀膜机蒸镀金属铝作为上电极。

6.根据权利要求5所述的基于苯四胺的配位聚合物薄膜的一次写入多次读取存储器的制备方法，其特征在于：所述步骤一中，将衬底分别用去离子水、丙酮、乙醇超声清洗20分钟。

7.根据权利要求5所述的基于苯四胺的配位聚合物薄膜的一次写入多次读取存储器的制备方法，其特征在于：所述步骤二中，采取水热法在溶液表面即空气与水表面得到配位聚合物薄膜。

8.根据权利要求5所述的基于苯四胺的配位聚合物薄膜的一次写入多次读取存储器的制备方法，其特征在于：所述苯四胺四盐酸盐与四水合乙酸钴的质量比为4:1.3，所述前驱体混合液中，苯四胺四盐酸盐的浓度为0.25mg/mL，四水合乙酸钴的浓度为0.08125mg/mL。