[发明专利]一种深紫外线发光二极管结构以及其制作方法在审
| 申请号： | 201811267955.8 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109244210A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 佘庆威;郭浩中;杨谨嘉;朱国雄;林志豪 | 申请（专利权）人： | 广州市香港科大霍英东研究院 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 曾耀先 |
| 地址： | 511458 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深紫外线 发光二极管结构 氟化氩 准分子 雷射 磊晶 氮化铝缓冲层 发光二极管 蓝宝石基板 纳米碳管层 晶片制作 纳米碳管 可吸收 制作 | ||
【权利要求书】：
1.一种深紫外线发光二极管结构，其特征在于，深紫外线发光二极管结构包括：
一深紫外线发光二极管层；以及
一碳层，其是形成于所述深紫外线发光二极管层的一侧。
2.如权利要求1所述的深紫外线发光二极管结构，其特征在于，尚包括一氮化铝缓冲层，其是形成在所述的深紫外线发光二极管层以及碳层之间。
3.如权利要求1所述的深紫外线发光二极管结构，其特征在于，所述的碳层是为一原子层。
4.一种深紫外线发光二极管的制作方法，其特征在于，包括下列的步骤：
提供一蓝宝石基板；
在所述的蓝宝石基板一侧形成一层的纳米碳管；
在所述的纳米碳管的一自由面上形成一层的氮化铝缓冲层；
在所述的氮化铝缓冲层的一自由面上形成深紫外线发光二极管层；以及
将所述的蓝宝石基板和所述的纳米碳管自所述的氮化铝缓冲层分离。
5.如权利要求4所述的深紫外线发光二极管的制作方法，其特征在于，于所述的分离步骤中，所使用的是氟化氪准分子雷射。
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