[发明专利]背照式图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供晶圆，所述晶圆包括隔离区，所述晶圆包括相对的晶圆正面和晶圆背面；

从所述晶圆正面对所述晶圆进行第一离子注入，在所述晶圆的隔离区中形成第一隔离掺杂区；

形成第一隔离掺杂区后，从所述晶圆背面减薄所述晶圆，晶圆背面至第一隔离掺杂区之间的最小距离大于零；

减薄所述晶圆后，从所述晶圆背面对晶圆进行第二离子注入，在所述晶圆的隔离区中形成第二隔离掺杂区，晶圆正面至第二隔离掺杂区之间的最小距离大于零，第二隔离掺杂区与第一隔离掺杂区连接。

2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第二隔离掺杂区的深度大于所述第一隔离掺杂区的深度。

3.根据权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一隔离掺杂区与所述第二隔离掺杂区部分重叠；或者，所述第一隔离掺杂区与所述第二隔离掺杂区邻接。

4.根据权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一隔离掺杂区和所述第二隔离掺杂区的导电类型均为P型。

5.根据权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：在减薄所述晶圆之前，在所述晶圆的隔离区中形成第一隔离结构，第一隔离结构朝向所述晶圆正面；在减薄所述晶圆之后，在所述晶圆的隔离区中形成第二隔离结构，第二隔离结构朝向所述晶圆背面，所述第二隔离结构与第一隔离结构分立。

6.根据权利要求5所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一隔离结构被所述第一隔离掺杂区包围；所述第二隔离结构被所述第二隔离掺杂区包围。

7.根据权利要求5所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，形成所述第一隔离结构之后，形成第一隔离掺杂区；或者，形成第一隔离掺杂区后，形成所述第一隔离结构。

8.根据权利要求5所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，形成第二隔离掺杂区后，形成所述第二隔离结构；或者，形成所述第二隔离结构之后，形成第二隔离掺杂区。

9.根据权利要求8所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第二隔离结构包括第二垫氧化层和第二填充层；形成第二隔离结构的方法包括：在所述晶圆的隔离区中形成第二凹槽，第二凹槽的开口朝向晶圆背面；在所述第二凹槽的内壁形成第二垫氧化层；形成第二垫氧化层后，在第二凹槽中形成位于第二垫氧化层上的传导层；形成所述传导层后，进行退火处理；进行所述退火处理后，去除所述传导层；去除所述传导层之后，在第二凹槽中形成位于第二垫氧化层表面的第二填充层。

10.根据权利要求9所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述传导层之前，在所述第二凹槽中形成位于所述第二垫氧化层表面的粘附层；在所述第二凹槽中形成位于所述粘附层表面的阻挡层；形成所述传导层之后，所述传导层位于所述阻挡层表面；进行所述退火处理后，且在形成第二填充层之前，去除所述阻挡层和粘附层。

11.根据权利要求9所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述退火处理包括激光退火；所述退火处理的温度为800摄氏度～900摄氏度；形成所述第二垫氧化层的工艺包括原子层沉积工艺。

12.根据权利要求5所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一隔离结构包括第一垫氧化层和第一填充层；形成所述第一隔离结构的方法包括：在所述晶圆的隔离区中形成第一凹槽，第一凹槽的开口朝向晶圆正面；在第一凹槽的内壁形成第一垫氧化层；在第一凹槽中形成位于第一垫氧化层表面的第一填充层。