[发明专利]柔性光电转换模块的制造方法以及无线充电装置及系统

权利要求书

1.一种柔性光电转换模块的制造方法，其特征在于，所述柔性光电转换模块能够将接收到的红外光激光的光能转换为电能，用于为植入式电子设备充电，所述方法包括：

在半导体衬底的一面生成第一掩膜保护层；

将第一掩膜版图形转移至所述第一掩膜保护层，暴露出所述半导体衬底上的待掺杂区域；

对所述待掺杂区域进行掺杂，生成已掺杂区域；

去除所述第一掩膜保护层；

对所述半导体衬底上的未掺杂区域进行刻蚀，突出所述已掺杂区域，其中，所述未掺杂区域是所述半导体衬底上除所述已掺杂区域以外的区域；

在所述已掺杂区域和所述未掺杂区域上分别生成第一金属电极和第二金属电极，形成多个光电转换器件；

将所述多个光电转换器件转印至柔性衬底；

对所述多个光电转换器件进行分离及互联，形成光电转换阵列；

采用生物兼容性材料对所述光电转换阵列进行封装，形成所述柔性光电转换模块。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将第一掩膜版图形转移至所述第一掩膜保护层，暴露出所述半导体衬底上的待掺杂区域，包括：

在所述第一掩膜保护层上旋涂光刻胶；

将第一掩膜版图形转移到所述光刻胶上，形成光刻胶图形；

采用干法刻蚀将所述光刻胶图形转移到所述第一掩膜保护层上，暴露出所述半导体衬底上的待掺杂区域。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述半导体衬底上的未掺杂区域进行刻蚀，突出所述已掺杂区域，包括：

在所述半导体衬底的一面生成第二掩膜保护层；

将第二掩膜版图形转移到所述第二掩膜保护层上，暴露出所述未掺杂区域；

采用干法刻蚀技术，对所述未掺杂区域进行刻蚀，突出所述已掺杂区域；

去除所述第二掩膜保护层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述多个光电转换器件进行分离及互联，形成光电转换阵列，包括：

通过干法刻蚀对所述多个光电转换器件进行刻蚀处理，将所述多个光电转换器件分离为多个独立光电转换器件；

根据互联方案，将独立光电转换器件的第一金属电极与对应的另一独立光电转换器件的第二金属电极互联，形成光电转换阵列。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述多个光电转换器件转印至柔性衬底之前，所述方法还包括：

对所述半导体衬底的另一面进行减薄处理。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述已掺杂区域和所述未掺杂区域上分别生成第一金属电极和第二金属电极，形成多个光电转器件，包括：

通过物理气相沉积方式，在所述已掺杂区域和所述未掺杂区域上分别生成第一金属电极和第二金属电极，形成多个光电转换器件，

其中，所述第一金属电极为金属银电极，所述第二金属电极为金属铝电极。

7.一种无线充电装置，其特征在于，应用于植入式电子设备，为所述植入式电子设备充电，包括：

柔性光电转换模块，将接收到的红外光激光的光能转换为电能，为所述植入式电子设备的电池充电，

其中，所述柔性光电转换模块是根据权利要求1至6任一项所述的方法制造的。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述无线充电装置集成在所述植入式电子设备中。

9.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述红外光激光的波长包括850nm、1060nm和1310nm中的任一种。

10.一种无线充电系统，其特征在于，应用于植入式电子设备，为所述植入式电子设备充电，包括：

激光发射装置，用于发射红外光激光；

柔性光电转换模块，将接收到的所述红外光激光的光能转换为电能，为所述植入式电子设备的电池充电，

其中，所述柔性光电转换模块是根据权利要求1至6任一项所述的方法制造的，

所述激光发射装置设置于植入所述植入式电子设备的对象的表面或外部，且处于与所述柔性光电转换模块相对应的位置。