[发明专利]一种金属导线复合层及其制备方法、以及半导体器件

权利要求书

1.一种金属导线复合层的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

形成包括第一金属导线的第一金属导线层；

在所述第一金属导线层上形成层叠设置的第一介电层、第二介电层和第三介电层；

在所述第三介电层上形成第一过孔，以及在所述第二介电层上形成第二过孔；所述第二过孔的内径大于所述第一过孔的内径；

在所述第一介电层上形成第三过孔；所述第二过孔的内径大于所述第三过孔的内径；所述第一过孔、所述第二过孔、所述第三过孔贯通，且在所述第一金属导线层上的正投影均与所述第一金属导线交叠；

在所述第三介电层中嵌入第二金属导线，所述第二金属导线通过所述第一过孔、所述第二过孔和所述第三过孔与所述第一金属导线互连。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第三介电层上形成第一过孔，以及在所述第二介电层上形成第二过孔，包括：

在所述第三介电层上形成过孔光刻胶图案；

按照所述过孔光刻胶图案，在所述第三介电层上形成第一过孔，以及在所述第二介电层上形成第二过孔。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述按照所述过孔光刻胶图案，在所述第三介电层上形成第一过孔，以及在所述第二介电层上形成第二过孔，包括：

按照所述过孔光刻胶图案，在目标刻蚀条件下通过目标刻蚀反应物对所述第三介电层和所述第二介电层进行刻蚀，形成所述第三介电层上的第一过孔，以及所述第二介电层上的第二过孔；在所述目标刻蚀条件下，所述目标刻蚀反应物对所述第二介电层的横向刻蚀速率大于对所述第三介电层的横向刻蚀速率。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述目标刻蚀反应物为六氟化硫气体或氧气。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述目标刻蚀条件为刻蚀温度大于或等于170摄氏度，且小于或等于430摄氏度。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述按照所述过孔光刻胶图案，在所述第三介电层上形成第一过孔，以及在所述第二介电层上形成第二过孔，包括：

按照所述过孔光刻胶图案，通过第一刻蚀反应物对所述第三介电层进行刻蚀，形成所述第三介电层上的第一过孔；

通过第二刻蚀反应物对所述第二介电层进行刻蚀，形成所述第二介电层上的第二过孔；所述第二刻蚀反应物对所述第二介电层的横向刻蚀速率大于所述第一刻蚀反应物对所述第三介电层的横向刻蚀速率。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一刻蚀反应物为氮气或氢气，所述第二刻蚀反应物为六氟化硫气体或四氟化碳气体。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第一介电层上形成所述第三过孔的同时，在所述第三介电层上形成所述第二金属导线的导线沟槽。

9.一种金属导线复合层，其特征在于，所述金属导线复合层包括：

第一金属导线层，包括第一金属导线；

第一介电层，形成在所述第一金属导线层上，包括第三过孔；

第二介电层，形成在所述第一介电层上，包括第二过孔；所述第二过孔的内径大于所述第三过孔的内径；

第三介电层，形成在所述第二介电层上，包括第一过孔；所述第二过孔的内径大于所述第一过孔的内径；所述第一过孔、所述第二过孔、所述第三过孔贯通，且在所述第一金属导线层上的正投影均与所述第一金属导线交叠；

第二金属导线，嵌入在所述第三介电层中，所述第二金属导线通过所述第一过孔、所述第二过孔和所述第三过孔与所述第一金属导线互连。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括如权利要求9所述的金属导线复合层。