[发明专利]一种优化沟槽的肖特基结势磊二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种优化沟槽的肖特基结势磊二极管，包括SiC基体(10)以及SiC基体上表面的沟槽P型离子注入掺杂区(20)，其特征在于：所述SiC基体的上表面除所述沟槽P型离子注入掺杂区(20)所在位置以外，其它部分覆盖有第一SiO₂薄膜层(31)和第二SiO₂薄膜层(32)；其中，所述第二SiO₂薄膜层(32)位于所述第一SiO₂薄膜层(31)之上，并且所述第二SiO₂薄膜层(32)的面积小于所述第一SiO₂薄膜层(31)的面积，使得所述第二SiO₂薄膜层(32)和所述第一SiO₂薄膜层(31)形成台阶。

2.如权利要求1所述的肖特基结势磊二极管，其特征在于：在所述SiC基体(10)的上表面边缘，所述第二SiO₂薄膜层(32)和所述第一SiO₂薄膜层(31)齐平；在靠近所述沟槽P型离子注入掺杂区(20)的边缘之处，所述第二SiO₂薄膜层(32)与所述第一SiO₂薄膜层(31)形成所述台阶。

3.如权利要求2所述的肖特基结势磊二极管，其特征在于：所述第二SiO₂薄膜层(32)的厚度大于所述第一SiO₂薄膜层(31)的厚度。

4.一种如权利要求1至3任一项所述的肖特基结势磊二极管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、提供一SiC基体，该SiC基体的上表面具有沟槽；

S2、在所述SiC基体的上表面除所述沟槽以外的其它部分依次沉积含硼的第一SiO₂薄膜层、含磷的第二SiO₂薄膜层；

S3、采用湿法刻蚀对所述第一SiO₂薄膜层和所述第二SiO₂薄膜层进行刻蚀，以形成所述台阶；

S4、对所述沟槽进行P型离子注入掺杂，形成所述沟槽P型离子注入掺杂区。

5.如权利要求4所述的肖特基结势磊二极管的制作方法，其特征在于：在步骤S3中，从靠近所述沟槽的位置开始进行刻蚀，并且根据刻蚀液对所述第一SiO₂薄膜层和所述第二SiO₂薄膜层的腐蚀速率的不同形成所述台阶。

6.如权利要求4所述的肖特基结势磊二极管的制作方法，其特征在于：步骤S2中沉积SiO₂薄膜层的方法包括氧化生长法、化学气相沉积法、电子束蒸发法或射频磁控溅射法。

7.如权利要求4所述的肖特基结势磊二极管的制作方法，其特征在于：步骤S2中采用LPCVD工艺沉积含硼的第一SiO₂薄膜层和含磷的第二SiO₂薄膜层。

8.如权利要求4所述的肖特基结势磊二极管的制作方法，其特征在于：在所述第一SiO₂薄膜层中，硼的含量为5～15wt％；在所述第二SiO₂薄膜层中，磷的含量为2～10wt％。