[发明专利]一种薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201811270519.6 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109300981A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 肖鹏;黄俊华;袁健;刘佰全;罗东向 | 申请（专利权）人： | 佛山科学技术学院 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/786 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 龙栢强 |
| 地址： | 528000 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 迁移率 源层 顶接触结构 接触结构 底栅 顶栅 绝缘层 超高分辨率 电学性能 高稳定性 界面接触 显示驱动 层结构 叠合 基板 漏极 源极 薄膜 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括基板、栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极，其特征在于，所述有源层为采用具有高稳定性和Hall迁移率的材料制得的薄膜，所述薄膜晶体管的截面包括底栅顶接触结构、底栅底接触结构、顶栅底接触结构和顶栅顶接触结构。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜的厚度为5-100nm。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述底栅顶接触结构的底部为基板，所述基板的上方设有栅极和绝缘层，且所述绝缘层覆盖栅极，所述绝缘层上设有有源层，所述有源层的上方设有分别与有源层的两端相连的源极和漏极。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述底栅底接触结构的底部为基板，所述基板的上方设有栅极和绝缘层，且所述绝缘层覆盖栅极，所述绝缘层上设有有源层，所述绝缘层的上方还分别设有与绝缘层两端相连的源极和漏极，且有源层覆盖源极和漏极。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述顶栅底接触结构的底部为基板，所述基板的上方设有有源层，所述基板的上方还设有与基板两端相连的源极和漏极，且有源层覆盖源极和漏极，所述有源层的上方设有绝缘层，绝缘层上方设有栅极。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述顶栅顶接触结构的底部为基板，所述基板的上方设有有源层，所述有源层的上方设有绝缘层，所述有源层的上方还分别设有与有源层的两端相连的源极和漏极，且绝缘层覆盖源极和漏极，所述绝缘层的上方设有栅极。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极的材料选自金属合金、金属和透明导体氧化物中的一种，厚度为10～1000nm。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极的材料选自金属合金、金属和透明导体氧化物中的一种，厚度为10～1000nm。
9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述漏极的材料选自金属合金、金属和透明导体氧化物中的一种，厚度为10～1000nm。
10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘层选自高介电常数的氧化物或非晶态电介质材料，厚度为0～1000nm。
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