[发明专利]一种隔离式精准过零检测电路

权利要求书

1.一种隔离式精准过零检测电路，其特征在于：包括，波形正负检测电路、隔离电路和信号生成电路；

其中，波形正负检测补偿电路包括限流电阻R2、二极管D1和检测补偿电容C1；

隔离电路包括：隔离光耦U2、场效应晶体管U1、限流电阻R3和限流电阻R4；

限流电阻R2的一端与输入信号INPUT的一端连接，另一端与二极管D1的正极连接；检测补偿电容C1的一端二极管D1的负极连接，另一端与输入信号INPUT的另一端连接；检测补偿电容C1的一端还与隔离电路的隔离光耦U2的一个输入端连接；

隔离光耦U2的一个输入端与检测补偿电容C1的一端连接，另一个输入端与限流电阻R3的一端连接；限流电阻R3的另一端与场效应晶体管U1的漏极连接；场效应晶体管U1的源极与检测补偿电容C1的另一端、输入信号INPUT的另一端连接；限流电阻R2的一端与场效应晶体管U1的栅极连接，另一端与输入信号INPUT的一端连接；

隔离光耦U2的一个输出端与信号生成电路连接，另一个输出端与信号生成电路连接，还通过限流电阻R4之后接地。

2.如权利要求1所述的隔离式精准过零检测电路，其特征在于：

波形正负检测补偿电路还包括稳压二极管D2；稳压二极管D2并联在检测补偿电容C1的两端。

3.如权利要求2所述的隔离式精准过零检测电路，其特征在于：

稳压二极管D2的负极与二极管D1的负极连接，正极与输入信号INPUT的另一端连接。

4.如权利要求1所述的隔离式精准过零检测电路，其特征在于：

场效应晶体管U1为N型场效应晶体管。

5.如权利要求1所述的隔离式精准过零检测电路，其特征在于：

隔离电路还包括限流电阻R1和稳压二极管D3；

稳压二极管D3并联在N型场效应晶体管U1的栅极和源极两端；限流电阻R1的一端与场效应晶体管U1的栅极、稳压二极管D3的负极连接，另一端与输入信号INPUT的一端连接。

6.如权利要求5所述的隔离式精准过零检测电路，其特征在于：

稳压二极管D3的正极与N型场效应晶体管U1的源极连接，负极与N型场效应晶体管U1的栅极连接。

7.如权利要求1所述的隔离式精准过零检测电路，其特征在于：

信号生成电路包括：与非门芯片U3、非门芯片U4、与非门芯片U5、维持电容C2；

与非门芯片U3的一个输入端门芯片U4的输出端口连接，另一个输入端与隔离光耦U2的另一个输出端连接；

与非门芯片U4的一个输入端与与非门芯片U3的输出端相连；

维持电容C2的一端与与非门芯片U3的输出端连接，另一端与与非门芯片U4的另一个输入端连接；

与非门芯片U5的两个输入端均与与非门芯片U4的输出端连接，输出端与信号输出端OUTPUT连接。

8.如权利要求7所述的隔离式精准过零检测电路，其特征在于：

信号生成电路还包括：上拉电阻R5、下拉电阻R6、上拉电阻R7、上拉电阻R8和辅助电源VCC；

隔离光耦U2的一个输出端与信号生成电路的辅助电源VCC连接；

与非门芯片U3的输出端通过上拉电阻R5与辅助电源VCC连接；与非门芯片U4的输出端通过上拉电阻R7与辅助电源VCC连接；与非门芯片U5的输出端通过上拉电阻R8与辅助电源VCC连接；与非门芯片U4的另一个输入端通过下拉电阻R6接地。

9.如权利要求1至8中任意一项所述的隔离式精准过零检测电路，其特征在于：输入信号INPUT为110～400V，50/60HZ的交流信号。

10.如权利要求1至8中任意一项所述的隔离式精准过零检测电路，其特征在于：

输入信号INPUT的另一端、检测补偿电容C1的另一端、场效应晶体管U1的源极接地。