[发明专利]一种测量超二代像增强器阴极近贴聚焦距离的方法

权利要求书

1.一种测量超二代像增强器阴极近贴聚焦距离的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，打开钨丝灯工作电源，调节工作电流到额定值，让电流稳定5分钟，光路中所采用的干涉滤光片为980nm干涉滤光片；

步骤2，打开CMOS器件的工作电源，打开计算机，使CMOS相机正常工作，所采用的CMOS器件的靶面尺寸为1英寸，分辨力为800H×600V，帧频为25Hz；

步骤3，将有效阴极直径为Φ18mm的像增强器放在测量装置的载物台上，像增强器的光电阴极的端面朝上正对物镜，物镜的放大倍率为10倍；

步骤4，在测量装置的Z方向上调节物镜与光电阴极面的距离，同时观察计算机屏幕，直至将物镜聚焦在光电阴极面上；此时，将物镜聚焦微调机构控制器的读数设置为0；

步骤5，进一步调节物镜与微通道板输入端之间的距离，同时观察计算机的屏幕，直至将物镜聚焦在微通道板输入端面上，此时物镜聚焦微调机构控制器上的读数即为阴极近贴聚焦距离Δz。

2.一种测量超二代像增强器微通道板变形的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，打开钨丝灯工作电源，调节工作电流到额定值，让电流稳定( 5) 分钟，光路中所采用的干涉滤光片为980nm干涉滤光片；

步骤2，打开CMOS器件的工作电源，打开计算机，使CMOS相机正常工作；所采用的CMOS器件的靶面尺寸为1英寸，分辨力为800H×600V，帧频为25Hz；将有效阴极直径为Φ40mm的像增强器放在测量装置的载物台( 15) 上，光电阴极面朝上正对物镜( 10) ，同时使光电阴极的中心与测量装置的轴心重合，物镜( 10) 的放大倍率为10倍；

步骤3，在测量装置的轴线方向上调节物镜( 10) 与光电阴极( 2) 的距离，同时观察计算机( 14) 屏幕，直至将物镜( 10) 聚焦在光电阴极面上；此时将物镜聚焦微调机构控制器上读数设置为0；

步骤4，在测量装置的轴线方向上进一步调节物镜( 10) 与微通道板输入端( 3) 之间的距离，同时观察计算机( 14) 屏幕，直至将物镜( 10) 聚焦在微通道板输入端面上；当物镜聚焦在微通道板输入端面上时，可以看到微通道板的微结构，此时物镜聚焦微调机构控制器上的读数即为阴极近贴聚焦距离Δz；

步骤5，向X轴方向移动载物台( 15) 到某一位置x1，重复步骤4，即可得到位置x1处的阴极近贴聚焦距离Δz1，再在X轴方向上不断的重复移动位置Δx，重复步骤4，即可得到不同位置x2、x3、x4、x5处的阴极近贴聚焦距离Δz2、Δz3、Δz4、Δz5；

步骤6，向Y轴方向移动载物台( 15) 到某一位置y1，重复步骤4，即可得到位置y1处的阴极近贴聚焦距离Δz1；再在Y轴方向上不断的重复移动位置Δy，重复步骤(4)，即可得到不同位置y2、y3、y4、y5处的近贴聚焦距离Δz2、Δz3、Δz4、Δz5；

步骤7，测量出X轴方向和Y轴方向不同位置(x，y)处的阴极近贴聚焦距离Δz(x，y)，即可测量出微通道板的形变状态。