[发明专利]具有表面安装结构的扁平无引线封装体

权利要求书

1.一种半导体封装体，包括：

衬底，具有第一多个暴露的金属引线和第二多个暴露的金属引线以及在所述衬底的表面上的焊盘；

半导体电路管芯，被安装在所述焊盘上、并且被电耦合至所述衬底上的所述第一多个暴露的金属引线；以及

表面安装结构，被安装在所述衬底的第一表面上、并且被电耦合至所述衬底的所述第一表面，所述表面安装结构包括被耦合在第一端部与第二端部之间的电气元件，所述第一端部被耦合至所述第二多个暴露的金属引线中的第一暴露的金属引线，并且所述第二端部被耦合至所述第二多个暴露的金属引线中的第二暴露的金属引线，以将所述表面安装结构电连接至所述衬底的所述第一表面，并且所述第一端部包括被定位在耦合边缘周围的凹陷构件，在所述耦合边缘处，所述第一端部被耦合至所述第一暴露的金属引线，其中所述凹陷构件的高度小于所述第一端部在边缘表面处的高度，并且其中所述凹陷构件是被限定在所述第一端部的边缘表面内的腔部；以及

耦合介质，在所述第一端部与所述第一暴露的金属引线之间，所述耦合介质被至少部分地定位在所述凹陷构件内。

2.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中所述耦合介质包括导电粘合剂。

3.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中所述腔部是局部凹坑部分。

4.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中所述凹陷构件的高度等于或者大于所述第一端部的高度的一半。

5.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中所述凹陷构件在其最宽部分的宽度等于或者大于所述第一端部的宽度的百分之七十五。

6.根据权利要求3所述的半导体封装体，其中所述局部凹坑部分在所述第一端部的底部边缘的宽度等于或者大于所述第一端部的宽度的百分之七十五。

7.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中所述表面安装结构内的所述电气元件包括无源半导体元件。

8.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中所述第一端部包括所述凹陷构件周围的连接元件。

9.根据权利要求8所述的半导体封装体，其中所述连接元件包括连接焊盘。

10.根据权利要求8所述的半导体封装体，其中所述连接元件包括至少部分地限定所述凹陷构件的金属层。

11.根据权利要求10所述的半导体封装体，其中所述金属层与所述表面安装结构的、与所述衬底的所述表面相对的第一表面部分地重叠，并且所述金属层延伸通过所述凹陷构件。

12.根据权利要求11所述的半导体封装体，其中所述金属层延伸至所述表面安装结构的、与所述第一表面相对的第二表面，并且被耦合至所述第二表面上的所述电气元件。

13.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中所述第一多个暴露的金属引线和所述第二多个暴露的金属引线至少部分重叠。

14.一种半导体封装体，包括：

引线框架衬底，包括多个暴露的金属引线和表面上的焊盘；

半导体管芯，被附接至所述焊盘；以及

分立半导体器件，被安装在所述表面上、并且包括被耦合至暴露的金属引线的端部，所述端部包括与所述暴露的金属引线邻近的凹陷构件，其中所述凹陷构件的高度小于所述端部在边缘表面处的高度，并且其中所述凹陷构件是被限定在所述端部的边缘表面内的腔部。