[发明专利]可提高Q值的空腔薄膜体声波谐振器及其制备方法

权利要求书

1.一种可提高Q值的空腔薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：

衬底，中部具有向上开口的凹槽；

SiC/Diamond薄膜层，形成在所述衬底上，中部设有与凹槽对应的贯穿口；以及

压电震荡堆部，形成在所述SiC/Diamond薄膜层上，并且位于所述贯穿口的正上方，从下至上依次包括：底电极、压电层、和顶电极，

其中，所述底电极/所述压电层/所述顶电极被图形化为多边形或圆形，所述贯穿口的尺寸与所述凹槽的一致。

2.根据权利要求1所述的可提高Q值的空腔薄膜体声波谐振器，其特征在于：

其中，所述衬底为硅或蓝宝石衬底。

3.根据权利要求1所述的可提高Q值的空腔薄膜体声波谐振器，其特征在于：

其中，所述底电极和顶电极均为为金属薄膜，该金属薄膜为钼、铂、金、银和钨薄膜中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的可提高Q值的空腔薄膜体声波谐振器，其特征在于：

其中，所述压电层采用具有C轴取向的AlN、ZnO、PZT压电薄膜中的任意一种。

5.权利要求1至4中任意一项所述的可提高Q值的空腔薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1.在衬底上沉积SiC/Diamond薄膜层；

步骤2.在SiC/Diamond薄膜层上刻蚀出预设的贯穿口；

步骤3.在所述衬底上刻蚀出预设的凹槽，该凹槽的尺寸与所述贯穿口相对应；

步骤4.在SiC/Diamond薄膜层上沉积牺牲层，该牺牲层的化学性质应与衬底不同，保证后续腐蚀时对衬底无影响；

步骤5.利用化学机械抛光技术将多余的牺牲层除去，使得牺牲层刚好填满所述凹槽和所述贯穿口；

步骤6.在所述SiC/Diamond薄膜层和所述牺牲层上依次沉积底电极、压电薄膜和顶电极，形成压电震荡堆部；

步骤7.将所述底电极/所述压电层/所述顶电极进行图形化；

步骤8.在所述压电震荡堆部上刻蚀释放孔；

步骤9.通过释放孔导入腐蚀剂，仅将所述牺牲层腐蚀掉，在所述衬底、所述SiC/Diamond薄膜层和所述压电震荡堆部形成空腔，

其中，在步骤7中，是将所述底电极/所述压电层/所述顶电极图形化为多边形或圆形。