[发明专利]一种基于疏水涂层的钙钛矿太阳能电池

权利要求书

1.一种基于疏水涂层的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，包括：

导电玻璃；

空穴传输层，位于所述导电玻璃上；

钙钛矿吸光层，位于所述空穴传输层上；

疏水涂层，位于所述钙钛矿吸光层上；

电子传输层，位于所述疏水涂层上；

对电极，位于所述电子传输层上。

2.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述导电玻璃为ITO导电玻璃或者FTO导电玻璃。

3.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为10～20nm。

4.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿吸光层的厚度为100～300nm。

5.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述钙钛矿吸光层材料为ABX₃，其中，A为CH₃NH₃⁺、HC(NH₂)₂⁺、CH₃(CH₂)_nNH₃⁺(n＝1～7)、C₆H₅(CH₂)_nNH₃⁺(n＝1～4)、Cs⁺中的一种或多种，B为Pb₂⁺、Sn₂⁺、Cu₂⁺中的一种或多种，X为I^-、Br^-、Cl^-中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述疏水涂层的厚度为5～10nm。

7.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述疏水涂层材料包括纳米二氧化钛/聚氨酯。

8.如权利要求7所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述聚氨酯为有机硅改性聚氨酯，其中所述有机硅改性聚氨酯中有机硅的质量分数为10％～25％。

9.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述电子传输层的厚度为20～50nm。

10.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述对电极的厚度为100～300nm。