[发明专利]固态存储装置的读取重试方法

说明书

一种固态存储装置的读取重试方法，该固态存储装置连接至一主机，且该固态存储装置包括一非易失性存储器，该读取重试方法包括下列步骤：判断该非易失性存储器中的一指定读取区块是否遭遇到一特定失败模式；于确认该指定读取区块遭遇到该特定失败模式时，进行对应该特定失败模式的一失败模式读取重试流程；于该失败模式读取重试流程可获得一正确读取数据时，将该正确读取数据传递至该主机；以及于该失败模式读取重试流程无法获得该正确读取数据时，回复该主机发生一读取失败。

技术领域

本发明是有关于一种固态存储装置的控制方法，且特别是有关于一种固态存储装置的读取重试方法。

背景技术

众所周知，固态存储装置(Solid State Storage Device，简称SSD)已经非常广泛的应用于各种电子产品，例如SD卡、笔记本电脑、服务器、数据中心等等。

一般来说，固态存储装置中包括一非易失性存储器(non-volatile memory)。当数据写入非易失性存储器后，一旦固态存储装置的电源被关闭，数据仍可保存在非易失性存储器中。

请参照图1A，其所示为现有固态存储装置示意图。固态存储装置10包括：控制电路130以及非易失性存储器110。其中，控制电路130中包括错误更正码电路(简称ECC电路)134。再者，固态存储装置10更包括读取表136。如图1A所示，固态存储装置10的读取表136设计于控制电路130中。当然，除了设计于控制电路130之外，固态存储装置10的读取表136也可以设计于非易失性存储器110中。

固态存储装置10经由一外部总线152连接至主机(host)150，其中外部总线152可为USB总线、SATA总线、PCIe总线、M.2总线或者U.2总线等等。

再者，控制电路130连接至非易失性存储器110，用以根据主机150所发出的写入命令进一步将主机150的写入数据存入非易失性存储器110，以及根据主机150所发出的读取命令由非易失性存储器110中取得读取数据，经由控制电路130传递至主机150。

非易失性存储器110包括多个晶粒(die)111～126，并组成容错式磁盘阵列(redundant array of independent disk，简称RAID)用以提高数据的可靠度。再者，晶粒111～126可为与非门快闪存储器晶粒(NAND flash die)。

在具备RAID功能的固态存储装置10中，多个晶粒111～126中的至少一个晶粒是用来存储同位数据(parity data)。以使用最后一个晶粒126来存储同位数据为例，控制电路130会将主机150的写入数据分配为多笔子写入数据，并且将多笔子写入数据写入晶粒111～125中。同时，控制电路130会产生对应此多笔子写入数据的同位数据，并写入最后一个晶粒126中。

举例来说，假设非易失性存储器110中共有16个晶粒111～126，最后一个晶粒126用来存储同位数据，且固态存储装置10中所设定的条带化尺寸(stripe size)为160Kbytes。当控制电路130接收了150Kbytes的写入数据后，控制电路130会对150Kbytes的写入数据进行RAID运算并产生10Kbytes的同位数据(parity data)。此时，写入数据加上同位数据相当于条带化尺寸(stripe size)的160Kbytes，而控制电路130会将其写入对应的晶粒111～126中。