[发明专利]一种碳化硅沟槽结构的制造方法有效
| 申请号： | 201811273390.4 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111128717B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 郑昌伟;龚芷玉;张文杰;赵艳黎;李诚瞻;戴小平 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;张杰 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 沟槽 结构 制造 方法 | ||
1.一种碳化硅沟槽结构的制造方法，包括如下步骤，
在碳化硅晶圆表面上生长第一刻蚀掩膜层；
在第一刻蚀掩膜层上位于碳化硅晶圆待制作沟槽区域的上方形成光刻胶；
生长覆盖第一刻蚀掩膜层和所述光刻胶的第二刻蚀掩膜层；
湿法去除所述光刻胶，同时所述光刻胶上的第二刻蚀掩膜层被剥离掉，形成第二刻蚀掩膜层的沟槽刻蚀窗口；
以带有沟槽刻蚀窗口的第二刻蚀掩膜层为掩膜，对第一刻蚀掩膜层进行刻蚀，去除在第二刻蚀掩膜层的沟槽刻蚀窗口下的部分第一刻蚀掩膜层，形成第一刻蚀掩膜层的沟槽刻蚀窗口；
以带有沟槽刻蚀窗口的第二刻蚀掩膜层为掩膜，对位于第一刻蚀掩膜层的沟槽刻蚀窗口下的碳化硅晶圆的部分区域进行初步刻蚀，形成初步沟槽，并去除第二刻蚀掩膜层；
以带有沟槽刻蚀窗口的第一刻蚀掩膜层为掩膜，对初步沟槽进行二次刻蚀，形成侧壁垂直、底部光滑的目标沟槽，然后去除第一刻蚀掩膜层，其中，第一刻蚀掩膜层与碳化硅的刻蚀选择比选择成，能够消除目标沟槽结构中的微沟槽现象，所述第二刻蚀掩膜层与碳化硅的刻蚀选择比选择成，能够使目标沟槽结构的侧壁垂直。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一刻蚀掩膜层与碳化硅的刻蚀选择比在1～3之间。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一刻蚀掩膜层为SiO2、SiN、非晶硅或多晶硅。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二刻蚀掩膜层与碳化硅的刻蚀选择比大于6。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述第二刻蚀掩膜层为金属氧化物或金属氮化物。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第二刻蚀掩膜层为Al2O3或AlN。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀，以带有沟槽刻蚀窗口的第二刻蚀掩膜层为掩膜，对第一刻蚀掩膜层进行刻蚀，去除在第二刻蚀掩膜层的沟槽刻蚀窗口下的部分第一刻蚀掩膜层，以形成第一刻蚀掩膜层的沟槽刻蚀窗口。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述初步刻蚀和二次刻蚀为工艺参数不同的干法刻蚀。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲中车时代半导体有限公司，未经株洲中车时代半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811273390.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
