[发明专利]化学机械研磨方法

说明书

本发明实施例涉及一种平坦化方法及一种化学机械研磨CMP方法。所述平坦化方法包含：提供衬底，所述衬底包含具有不同程度的疏水性或亲水性的第一区域及第二区域；及对所述第一区域执行表面处理以使其疏水性或亲水性程度接近所述第二区域的疏水性或亲水性程度。所述CMP方法包含：提供包含第一区域及第二区域的衬底；在所述衬底上提供研磨浆，其中所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第一接触角，且所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第二接触角；使所述第一区域的表面改质以使所述第一接触角与所述第二接触角之间的接触角差等于或小于30度。

技术领域

本发明实施例涉及化学机械研磨方法。

背景技术

化学机械研磨(CMP)常在集成电路制造中用于减小晶片或其(若干)上覆层的厚度且平坦化晶片或其(若干)上覆层的表面。然而，CMP存在材料碟形凹陷问题。需要修改CMP以缓解材料碟形凹陷问题。

发明内容

本发明的实施例涉及一种平坦化方法，其包括：提供衬底，其中所述衬底的表面包含具有不同程度的疏水性或亲水性的第一区域及第二区域；对所述第一区域执行表面处理以使所述第一区域的疏水性或亲水性程度接近所述第二区域的疏水性或亲水性程度；及使用研磨浆来研磨所述衬底的所述表面以平坦化所述衬底的所述表面。

本发明的实施例涉及一种化学机械研磨(CMP)方法，其包括：提供衬底，所述衬底具有形成于其上的第一材料及第二材料，其中所述第二材料位于所述第一材料的侧表面及上表面上方，且所述第一材料的疏水性或亲水性程度不同于所述第二材料的疏水性或亲水性程度；在所述衬底上提供研磨浆；执行CMP操作以去除所述第一材料的所述上表面上方的所述第二材料以暴露所述第一材料的所述上表面及所述第二材料的上表面，其中所述研磨浆及所述第二材料的所述上表面具有第一接触角，且所述研磨浆及所述第一材料的所述上表面具有第二接触角；使所述第二材料的所述上表面改质以使所述第一接触角与所述第二接触角之间的接触角差等于或小于30度；及继续使用所述研磨浆来对所述第一材料及所述第二材料执行所述CMP操作。

本发明的实施例涉及一种化学机械研磨(CMP)方法，其包括：提供衬底，所述衬底具有形成于其上的介电材料及金属材料，其中所述金属材料位于所述介电材料的侧表面及上表面上方，且所述介电材料及所述金属材料具有不同程度的疏水性或亲水性；在所述衬底上方提供研磨浆；执行CMP操作以去除所述介电材料的所述上表面上方的所述金属材料以暴露所述介电材料的所述上表面及所述金属材料的上表面；对所述金属材料执行表面处理以使所述金属材料的疏水性或亲水性程度接近所述介电材料的疏水性或亲水性程度，使得所述研磨浆均匀施配于所述介电材料的所述上表面及所述金属材料的所述上表面上；及继续使用均匀施配于所述介电材料的所述上表面及所述金属材料的所述上表面上的所述研磨浆来对所述介电材料及所述金属材料执行所述CMP操作。

附图说明

从结合附图阅读的以下详细描述最佳理解本揭示内容的方面。要强调的是，根据行业标准做法，各种构件未按比例绘制。事实上，为使讨论清楚，可任意增大或减小各种构件的尺寸。

图1A、1B及1C为绘示根据本揭示内容的一些实施例的化学机械研磨(CMP)方法的示意性剖面图。

图2为绘示根据本揭示内容的各种方面的用于平坦化衬底的方法的流程图。

图3为绘示根据本揭示内容的各种方面的化学机械研磨(CMP)方法的流程图。

图4、5及6为根据本揭示内容的一些实施例的各种方面的平坦化方法的示意图。

图7、7A及8为根据本揭示内容的一些实施例的各种方面的平坦化方法的示意图。

图9、9A及10为根据本揭示内容的一些实施例的各种方面的平坦化方法的示意图。

图11A、11B、11C及11D为绘示根据本揭示内容的一些实施例的CMP方法的示意性剖面图。